研磨盘和研磨设备制造技术

本申请涉及一种研磨盘和研磨设备，涉及研磨技术领域，该研磨盘包括盘体和研磨垫，研磨垫设置在盘体底侧，研磨垫用于与晶片接触，且研磨垫上设置有多个弧形沟槽和多个边缘沟槽，多个弧形沟槽相互交错，并绕研磨垫的中心呈发散状分布，每个弧形沟槽向外延伸至研磨垫的边缘，多个边缘沟槽靠近研磨盘的边缘设置，且每个边缘沟槽与弧形沟槽远离研磨垫的中心的一端连接。相较于现有技术，本技术提供的研磨盘，能够提高研磨效率、优化研磨质量，同时散热效果更好且减少了研磨剂和水的消耗，延长了使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及研磨，具体而言，涉及一种研磨盘和研磨设备。

技术介绍

1、在sic晶体生长完成后，通常需要经历切割、研磨和抛光工序，在研磨时需要利用研磨盘与晶片表面接触，其能够减薄晶片厚度，并满足后续工艺的尺寸要求。

2、常规技术中的研磨盘，通常采用的是平面研磨盘，这种研磨盘的表面是平的，没有明显的花纹，主要用于对硬质材料进行最终的平面研磨，研磨效率低下，同时散热效果较差，难以满足研磨要求，并且研磨时研磨剂与水混合不均，消耗量大。

技术实现思路

1、本申请的目的是提供一种研磨盘和研磨设备，该研磨盘和研磨设备能够提高研磨效率、优化研磨质量，同时散热效果更好且减少了研磨剂和水的消耗，延长了使用寿命。

2、为了实现上述目的，本技术是通过以下方案来实现的。

3、第一方面，本技术提供一种研磨盘，包括盘体和研磨垫，研磨垫设置在盘体底侧，所述研磨垫用于与晶片接触，且所述研磨垫上设置有多个弧形沟槽和多个边缘沟槽，多个所述弧形沟槽相互交错，并绕所述研磨垫的中心呈发散状分布，每个所述弧形沟槽向外延伸本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种研磨盘，其特征在于，包括盘体(110)和研磨垫(130)，所述研磨垫(130)设置在所述盘体(110)的底侧，用于与晶片接触，且所述研磨垫(130)上设置有多个弧形沟槽(150)和多个边缘沟槽(170)，多个所述弧形沟槽(150)相互交错，并绕所述研磨垫(130)的中心呈发散状分布，每个所述弧形沟槽(150)向外延伸至所述研磨垫(130)的边缘，多个所述边缘沟槽(170)靠近所述研磨垫(130)的边缘设置，且每个所述边缘沟槽(170)与所述弧形沟槽(150)远离所述研磨垫(130)的中心的一端连接。

2.根据权利要求1所述的研磨盘，其特征在于，所述研磨垫(130)的中...

【技术特征摘要】

1.一种研磨盘，其特征在于，包括盘体(110)和研磨垫(130)，所述研磨垫(130)设置在所述盘体(110)的底侧，用于与晶片接触，且所述研磨垫(130)上设置有多个弧形沟槽(150)和多个边缘沟槽(170)，多个所述弧形沟槽(150)相互交错，并绕所述研磨垫(130)的中心呈发散状分布，每个所述弧形沟槽(150)向外延伸至所述研磨垫(130)的边缘，多个所述边缘沟槽(170)靠近所述研磨垫(130)的边缘设置，且每个所述边缘沟槽(170)与所述弧形沟槽(150)远离所述研磨垫(130)的中心的一端连接。

2.根据权利要求1所述的研磨盘，其特征在于，所述研磨垫(130)的中心设置有中心环槽(190)，所述中心环槽(190)与所述研磨垫(130)同心设置，多个所述弧形沟槽(150)均匀分布在所述中心环槽(190)的周围，且每个所述弧形沟槽(150)均连通至所述中心环槽(190)。

3.根据权利要求2所述的研磨盘，其特征在于，每个所述弧形沟槽(150)包括第一子沟槽(151)和第二子沟槽(153)，所述第一子沟槽(151)的一端和所述第二子沟槽(153)的一端分布连接于所述中心环槽(190)沿径向的两侧，所述第一子沟槽(151)的另一端和所述第二子沟槽(153)的另一端连接，并延伸至所述研磨垫(130)的边...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨双泽，
申请(专利权)人：通威微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：