一种高精密半导体设备压板式喷镀工艺制造技术

本发明专利技术提供一种高精密半导体设备压板式喷镀工艺，通过智能动态压板与脉冲交替喷镀机制的创新结合，实现了纳米级沉积精度控制。工艺包括：对基板表面进行等离子体活化；利用MEMS驱动的压力控制阵列扫描表面拓扑结构；生成分区压力分布图和喷镀参数；加热基板至预设温度；控制智能动态压板接触基板；启动脉冲喷镀系统；实时监测并动态调整参数；达到预设膜厚后释放压力并冷却。本工艺采用密度为64个/cm2的压力控制点阵列。本发明专利技术显著提高了膜厚控制精度(±1埃)、表面均匀性(99.8％)、材料利用率(>95％)和复杂结构覆盖率(98％)，适用于硅基集成电路、砷化镓器件和碳化硅功率器件等多种半导体材料的高端应用场景，解决了传统喷镀技术的关键瓶颈问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件制造，尤其涉及一种高精密半导体设备压板式喷镀工艺。

技术介绍

1、半导体器件制造过程中，薄膜沉积是关键工艺步骤之一，直接影响器件的性能和可靠性。随着集成电路特征尺寸不断缩小和三维结构日益复杂化，对薄膜沉积工艺提出了更高要求，尤其是在薄膜均匀性、覆盖率、材料利用率和精确控制等方面。目前，半导体行业常用的薄膜沉积技术主要包括物理气相沉积(pvd)、化学气相沉积(cvd)、原子层沉积(ald)等，而喷镀技术作为一种特殊的物理沉积方法，因其设备结构简单、工艺参数易控、材料选择范围广等优点，在特定应用领域得到了广泛应用。

2、传统的喷镀技术主要包括常压喷镀、减压喷镀和超声波辅助喷镀等。常压喷镀技术操作简单，但沉积膜层均匀性难以控制，通常仅用于对精度要求不高的场合。减压喷镀通过在低压环境下进行喷镀，可改善薄膜质量，但仍面临边缘效应明显、阶梯覆盖率低等问题。超声波辅助喷镀通过引入超声波振动提高材料雾化效率，但对复杂结构表面的适应性不足。

3、现有技术在以下几个方面仍存在明显不足：

4、传统喷镀技术难以实现纳米级本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高精密半导体设备压板式喷镀工艺，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述智能动态压板系统包括：

3.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述脉冲交替喷镀系统包括：

4.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述工艺还包括多相流体通道系统，其包括：

5.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述在线监测系统包括：

6.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述等离子体活化处理采用高纯惰性气体，气压为5-15Pa，射频功率为100-300W，处理时间为30-60秒。p>

7.根据权...

【技术特征摘要】

1.一种高精密半导体设备压板式喷镀工艺，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述智能动态压板系统包括：

3.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述脉冲交替喷镀系统包括：

4.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述工艺还包括多相流体通道系统，其包括：

5.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述在线监测系统包括：

6.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述等离子体活化处理采用高纯惰性气体，气...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉学东，陆建军，
申请(专利权)人：南通通州东大机械有限公司，
类型：发明
国别省市：