存储元件制造技术

本发明专利技术提供一种存储元件，其中，该存储元件具备固定层和存储层，所述固定层由具有自发磁化的第一铁磁体构成，所述第一铁磁体的磁化方向构成为与写入该存储元件的数据无关地固定，所述存储层构成为包含反铁磁体和具有自发磁化的第二铁磁体，所述反铁磁体表现出反常霍尔效应，所述反铁磁体的反常霍尔系数的符号构成为可根据写入该存储元件的数据而翻转，所述第二铁磁体的磁化方向构成为，可根据写入该存储元件的数据，与所述反铁磁体的反常霍尔系数的符号联动而翻转。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及存储元件。

技术介绍

1、在专利文献1中，公开有一种与具备氧化镁钝化层的磁阻效应元件和使用该磁阻效应元件的高速超低功耗非易失性存储器相关的技术。该存储器在由铁磁性存储层、绝缘层、铁磁性固定层构成的隧道磁阻效应(tmr)膜和保护层、取向控制层的侧壁具备mgo钝化层，由此，抑制由于350度以上的热处理导致的来自隧道磁阻效应(tmr)元件的各层的元素扩散，实现具有稳定的高输出读出/低电流写入特性的磁存储单元、磁随机存取存储器。并且，当在铁磁性层中使用cofeb，在绝缘层中使用mgo时，mgo钝化层为(001)取向。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：国际公开第2010/067520号

技术实现思路

1、本专利技术要解决的问题

2、但是，在利用了这样的隧道磁阻效应的存储元件中，仍有改进的余地。

3、解决问题的方法

4、根据本专利技术的一方面，提供一种存储元件。该存储元件具备固定层和存储层。固定层由具有自发磁化的第一铁磁本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储元件，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的存储元件，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的存储元件，其特征在于，

4.根据权利要求2或权利要求3所述的存储元件，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的存储元件，其特征在于，

6.根据权利要求2～权利要求5中任一项所述的存储元件，其特征在于，

7.根据权利要求2～权利要求6中任一项所述的存储元件，其特征在于，

8.根据权利要求2～权利要求7中任一项所述的存储元件，其特征在于，

9.根据权利要求1～权利要求8中任一项所述的存储元件，其特...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种存储元件，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的存储元件，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的存储元件，其特征在于，

4.根据权利要求2或权利要求3所述的存储元件，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的存储元件，其特征在于，

6.根据权利要求2～权利要求5中任一项所述的存储元件，其特征在于，

7.根据权利要求2～权利要求6中任一项所...

【专利技术属性】
技术研发人员：大森广之，肥后友也，
申请(专利权)人：拓扑逻辑株式会社，
类型：发明
国别省市：