一种中高介电常数的低温共烧陶瓷材料及其制备方法技术

本发明专利技术属于电子陶瓷材料及其制造技术领域，涉及一种中高介电常数的低温共烧陶瓷材料及其制备方法。所述低温共烧陶瓷材料的组成包括：复相陶瓷+玻璃+简单化合物；所述复相陶瓷是至少两种钛酸盐陶瓷组成的复相陶瓷，或者至少两种铌酸盐陶瓷组成的复相陶瓷，或者至少两种锆酸盐陶瓷组成的复相陶瓷，或者钛酸盐陶瓷、铌酸盐陶瓷、锆酸盐陶瓷中的至少两种组成的复相陶瓷；所述玻璃是软化点为400～700℃的非晶玻璃；所述简单化合物是复相陶瓷的金属元素对应的氧化物或碳酸盐中的至少一种。本发明专利技术引入复相陶瓷组成元素所对应的氧化物或碳酸盐以提高复相陶瓷基体的润湿性，进而改善复相陶瓷的致密性和可靠性，以满足通讯技术对中高介电常数LTCC材料的需求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子陶瓷材料及其制造，尤其涉及一种中高介电常数的低温共烧陶瓷材料及其制备方法。

技术介绍

1、随着通讯技术的飞速发展，市场对便携式终端、人工智能设备、卫星通信以及相控阵雷达等电子设备的需求不断增长。这些设备对材料的尺寸小型化、高频化和多功能化提出更高要求。在这种背景下，低温共烧陶瓷(low temperature co-fired ceramics,ltcc)技术成为一种优选的高密度多层陶瓷封装方案。ltcc技术能够在较低的烧结温度下实现高密度封装，降低制造成本，同时具备良好的热稳定性、耐腐蚀性和电学性能，因此在高频和高温领域的应用逐渐增多。

2、目前，低介电常数的ltcc基板材料已经相对成熟，并形成了多个商业化材料体系。然而，中高介电常数的ltcc材料体系仍显得较为稀缺。中高介电常数ltcc材料在实际应用中面临许多挑战，其中最主要的问题是致密性不足。这是由于：一方面，绝大多数的中高介电常数材料的本征烧结温度高于1200℃(甚至超过1400℃)，实现低温烧结本身就较为困难；另一方面，在低温烧结过程中，陶瓷颗粒的烧结动力学受到显著限本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种中高介电常数的低温共烧陶瓷材料，其特征在于，所述低温共烧陶瓷材料的组成包括：复相陶瓷+玻璃+简单化合物；所述复相陶瓷是至少两种钛酸盐陶瓷组成的复相陶瓷，或者至少两种铌酸盐陶瓷组成的复相陶瓷，或者至少两种锆酸盐陶瓷组成的复相陶瓷，或者钛酸盐陶瓷、铌酸盐陶瓷、锆酸盐陶瓷中的至少两种组成的复相陶瓷；所述玻璃是软化点为400～700℃的非晶玻璃；所述简单化合物是复相陶瓷的金属元素对应的氧化物或碳酸盐中的至少一种；其中，以复相陶瓷和玻璃的总质量为100％计，复相陶瓷占复相陶瓷和玻璃的总质量的60％～95％，玻璃占复相陶瓷和玻璃的总质量的5％～40％；所述简单化合物占复相陶瓷和玻璃的总质量的...

【技术特征摘要】

1.一种中高介电常数的低温共烧陶瓷材料，其特征在于，所述低温共烧陶瓷材料的组成包括：复相陶瓷+玻璃+简单化合物；所述复相陶瓷是至少两种钛酸盐陶瓷组成的复相陶瓷，或者至少两种铌酸盐陶瓷组成的复相陶瓷，或者至少两种锆酸盐陶瓷组成的复相陶瓷，或者钛酸盐陶瓷、铌酸盐陶瓷、锆酸盐陶瓷中的至少两种组成的复相陶瓷；所述玻璃是软化点为400～700℃的非晶玻璃；所述简单化合物是复相陶瓷的金属元素对应的氧化物或碳酸盐中的至少一种；其中，以复相陶瓷和玻璃的总质量为100％计，复相陶瓷占复相陶瓷和玻璃的总质量的60％～95％，玻璃占复相陶瓷和玻璃的总质量的5％～40％；所述简单化合物占复相陶瓷和玻璃的总质量的0.5％～10％。

2.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷材料，其特征在于，以复相陶瓷和玻璃的总质量为100％计，复相陶瓷占复相陶瓷和玻璃的总质量的60％～90％；优选地，复相陶瓷占复相陶瓷和玻璃的总质量的70％～80％。

3.根据权利要求1或2所述的低温共烧陶瓷材料，其特征在于，所述钛酸盐陶瓷包括mgtio3、catio3、srtio3、batio3中的至少一种，所述铌酸盐陶瓷包括znnb2o6、banb2o6中的至少一种，所述锆酸盐陶瓷包括cazro3、mgzro3中的至少一种。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的低温共烧陶瓷材料，其特征在于，所述简单化合物占复相陶瓷和玻璃的总质量的0.8％～5％。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的低温共烧陶瓷材料，其特征在于，所述玻璃为硼硅酸盐玻璃、铝硅酸盐玻璃、磷酸盐玻璃中的至少一种。

6.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：章晋贤，梁永源，
申请(专利权)人：浙江矽瓷科技有限公司，
类型：发明
国别省市：