【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、1.
2、所公开的实施例包括一种电子束发射装置，其目标在于电子显微镜(em)及电子束辅助制造技术，例如电子束光刻(ebl)及电子束诱发沉积(ebid)等等。
3、2.相关技术
4、电子发射器已经用于各种电子装置，包括真空管、crt(阴极射线管)和用于电子显微镜(如扫描电子显微镜、透射电子显微镜等)的电子柱。大多数电子源由钨制成。在一些情况下，它们呈现为加热的钨发夹，其中热量用于从材料中提取电子(热离子发射，热离子发射器)。在其它情况下，它们呈现为尖锐的钨尖端，其中使用热和电场的组合从材料中提取电子(热场发射，肖特基发射器)。在这些情况下，钨被氧化锆(zro)覆盖，氧化锆是一种可以通过降低钨的功函数来提高提取效率的材料。最后，在一些情况下，发射器呈现为尖钨尖端，其中仅电场用于从材料提取电子(冷场发射，冷场发射器)。所有这些源在连续发射操作下良好地操作。然而，电子束在纳米学和纳米制造中的各种下一代应用需要使用快速脉冲或调制的电子束。因此，需要新的电子源。
5、申请人先前...
【技术保护点】
1.一种电子发射器，包括：
2.根据权利要求1所述的电子发射器，其中所述基面被掺杂为n型。
3.根据权利要求1所述的电子发射器，还包括由与所述基面的掺杂相同类型的掺杂半导体形成的主体，其中，所述发射尖端从所述主体的一个表面延伸。
4.根据权利要求3所述的电子发射器，还包括欧姆触点，所述欧姆触点形成在所述主体的与所述一个表面相对的第二表面上。
5.根据权利要求4所述的电子发射器，其中，所述主体和所述发射尖端由单片半导体材料形成。
6.根据权利要求4所述的电子发射器，其中，所述主体和所述发射尖端由p型掺杂半导体材
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种电子发射器，包括：
2.根据权利要求1所述的电子发射器，其中所述基面被掺杂为n型。
3.根据权利要求1所述的电子发射器，还包括由与所述基面的掺杂相同类型的掺杂半导体形成的主体，其中，所述发射尖端从所述主体的一个表面延伸。
4.根据权利要求3所述的电子发射器，还包括欧姆触点，所述欧姆触点形成在所述主体的与所述一个表面相对的第二表面上。
5.根据权利要求4所述的电子发射器，其中，所述主体和所述发射尖端由单片半导体材料形成。
6.根据权利要求4所述的电子发射器，其中，所述主体和所述发射尖端由p型掺杂半导体材料形成。
7.根据权利要求1所述的电子发射器，其中，所述半导体材料选自具有超过带隙低于1.5ev的电子亲和能的材料。
8.根据权利要求1所述的电子发射器，其中所述半导体材料选自以下中的一者：掺杂的金刚石、氮化镓(gan)、包括4h或6h同素异形形式的碳化硅(sic)、或磷化镓(gap)。
9.根据权利要求1所述的电子发射器，其中，所述基面被掺杂为n型，并且所述顶点被掺杂为p型。
10.根据权利要求1所述的电子发射器，其中，所述发射尖端由gan制成，其中所述顶点掺杂有镁(mg)。
11.根据权利要求1所述的电子发射器，其中，所述发射尖端由掺杂有硼的p型金刚石制成。
12.根据权利要求1所述的电子发射器，其中，所述发射尖端被成形为具有4至n个面的棱锥形或圆锥形中的一种，其中n低于100。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：N·塔佩，C·莫纳琼，A·丰库贝尔塔莫拉尔，J·贝尼，
申请(专利权)人：阿托莱特股份公司，
类型：发明
国别省市：
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