【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体晶圆制造与检测领域，特别是涉及一种释放晶圆的控制方法和装置。
技术介绍
1、在晶圆制造中，对晶圆进行的各种加工工艺以及检测通常需要将晶圆吸附在静电卡盘上进行。在加工工艺或检测完成后，通过静电卡盘与静电卡盘控制器去除晶圆与静电卡盘之间的残余电荷，以释放晶圆，进行传片。
2、现有技术中控制顶针(pin)直接移动到指定位置(例如，直接移动到固定好的传感器位置)，之后再检测晶圆与静电卡盘之间的残余电荷是否满足条件，若满足则正常传片，若不满足则抛出异常，停止传片动作，等待人工处理。这种方式容易出现由于到达指定位置时晶圆与静电卡盘之间的残余电荷未去除而导致晶圆无法被释放，从而传片失败的问题。特别是dr-sem(defect review sem，)在进行烧痕(burn mark)的应用中，会对晶圆施加大束流的电子束与高压，或者会长时间吸附晶圆，这种应用场景会导致晶圆检测完毕后传出设备的时候发生无法被释放的问题。一旦到达指定位置时晶圆与静电卡盘之间的残余电荷不满足释放要求就会发生宕机，需要等待人员处理。如此导致在dr-...
【技术保护点】
1.一种释放晶圆的控制方法，其中所述晶圆吸附于静电卡盘上且由顶针承接，并且所述控制方法包括：
2.根据权利要求1所述的释放晶圆的控制方法，其中，在完成所述第一预设步进方式的一步移动的间隔时长内，获取表征所述晶圆与所述静电卡盘之间的残余电荷的特征量之后，所述控制方法还包括：
3.根据权利要求1或2所述的释放晶圆的控制方法，其中，所述移动对象是所述静电卡盘；
4.根据权利要求1或2所述的释放晶圆的控制方法，其中，在驱动移动对象以第一预设步进方式移动以使所述静电卡盘远离所述晶圆之前，所述控制方法还包括：
5.根据权利要求4所述...
【技术特征摘要】
1.一种释放晶圆的控制方法，其中所述晶圆吸附于静电卡盘上且由顶针承接，并且所述控制方法包括：
2.根据权利要求1所述的释放晶圆的控制方法，其中，在完成所述第一预设步进方式的一步移动的间隔时长内，获取表征所述晶圆与所述静电卡盘之间的残余电荷的特征量之后，所述控制方法还包括：
3.根据权利要求1或2所述的释放晶圆的控制方法，其中，所述移动对象是所述静电卡盘；
4.根据权利要求1或2所述的释放晶圆的控制方法，其中，在驱动移动对象以第一预设步进方式移动以使所述静电卡盘远离所述晶圆之前，所述控制方法还包括：
5.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：张婉，马海禄，
申请(专利权)人：东方晶源微电子科技北京股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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