多层多绕组线圈叠构、平面变压器及线圈叠构加工方法技术

本发明专利技术属于平面变压器技术领域，公开一种多层多绕组线圈叠构、平面变压器及线圈叠构加工方法。多层多绕组线圈叠构包括至少两层线路结构和至少一层绝缘介质层，相邻两层线路结构之间设有一层绝缘介质层，且绝缘介质层选择性地设有开孔，以使全部线路结构形成多个回路，开孔内设有导电体，导电体填满开孔，在靠近导电体的两层线路结构中，导电体与位于导电体一侧的线路结构呈一体成型设置，导电体与位于导电体另一侧的线路结构接触。本发明专利技术的多层多绕组线圈叠构中线路结构之间的电连接性能较好，有利于提高多层多绕组线圈叠构的良率和可靠性，能更好地抵抗绝缘介质层膨胀产生的应力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及平面变压器，尤其涉及一种多层多绕组线圈叠构、平面变压器及线圈叠构加工方法。

技术介绍

1、现有技术在加工线圈结构时，线圈结构的铜层线路可通过负片蚀刻厚铜箔的方式来制作，铜层线路之间的绝缘介质层可采用pp或玻纤布来制作，并将多个铜层线路通过绝缘介质层高温压合制成线圈结构。具体地，在制作第一层铜层线路的基础上，在第一层铜层线路上压合新的绝缘介质层和铜箔，然后对得到的结构加工盲孔并在盲孔孔壁镀铜，以形成圆环状的孔盘，通过孔盘实现第一层铜层线路和第一层铜层线路的导通，再通过光刻蚀刻铜箔来制作第二层铜层线路。

2、但是，现有技术在第一层铜层线路上压合新的介质层和铜箔时，不能保证新的铜箔与第一层铜层线路相对位置的准确性，可能会产生对位误差，进而导致孔盘的一部分暴露出来被蚀刻掉，可能导致孔盘的顶部和第二层铜层线路电连接不良。线圈结构的孔盘的顶部和第二层铜层线路电连接不良，使得线圈结构存在破盘的情况，影响线圈结构的良率和可靠性。并且，孔盘为圆环状结构，在温度循环(如开机、关机、高功耗运算)中，绝缘介质层膨胀会挤压孔盘的外壁，会使孔盘内部产生应力，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种多层多绕组线圈叠构，其特征在于，包括至少两层线路结构(2)和至少一层绝缘介质层(3)，相邻两层所述线路结构(2)之间设有一层所述绝缘介质层(3)，且所述绝缘介质层(3)选择性地设有开孔(31)，以使全部所述线路结构(2)形成多个回路，所述开孔(31)内设有导电体(100)，所述导电体(100)填满所述开孔(31)，在靠近所述导电体(100)的两层所述线路结构(2)中，所述导电体(100)与位于所述导电体(100)一侧的所述线路结构(2)呈一体成型设置，所述导电体(100)与位于所述导电体(100)另一侧的所述线路结构(2)接触。

2.根据权利要求1所述的多层多绕组线圈...

【技术特征摘要】

1.一种多层多绕组线圈叠构，其特征在于，包括至少两层线路结构(2)和至少一层绝缘介质层(3)，相邻两层所述线路结构(2)之间设有一层所述绝缘介质层(3)，且所述绝缘介质层(3)选择性地设有开孔(31)，以使全部所述线路结构(2)形成多个回路，所述开孔(31)内设有导电体(100)，所述导电体(100)填满所述开孔(31)，在靠近所述导电体(100)的两层所述线路结构(2)中，所述导电体(100)与位于所述导电体(100)一侧的所述线路结构(2)呈一体成型设置，所述导电体(100)与位于所述导电体(100)另一侧的所述线路结构(2)接触。

2.根据权利要求1所述的多层多绕组线圈叠构，其特征在于，所述线路结构(2)的材质为铜，所述绝缘介质层(3)的材质为绝缘树脂，每层所述绝缘介质层(3)的厚度小于每层所述线路结构(2)的厚度。

3.根据权利要求2所述的多层多绕组线圈叠构，其特征在于，每层所述绝缘介质层(3)的厚度范围均为7微米至25微米，且每层所述线路结构(2)的厚度均大于或者等于40微米。

4.根据权利要求1所述的多层多绕组线圈叠构，其特征在于，所述线路结构(2)设有至少四层，所述绝缘介质层(3)设有至少三层。

5.根据权利要求1所述的多层多绕组线圈叠构，其特征在于，所述线路结构(2)与所述绝缘介质层(3)之间设有钛层(5)和铜层(6)，所述钛层(5)与所述绝缘介质层(3)接触，所述铜层(6)与所述线路结构(2)接触。

6.一种平面...

【专利技术属性】
技术研发人员：余成良，邵庆云，侯勤田，
申请(专利权)人：东莞顺络电子有限公司，
类型：发明
国别省市：