乘法器电路和电子设备制造技术

技术编号:46593587 阅读:1 留言:0更新日期:2025-10-10 21:27
本发明专利技术涉及乘法器领域,公开了乘法器电路和电子设备;乘法器电路包括第一晶体管至第十二晶体管,第一晶体管的第三端、第三晶体管的第二端和第十晶体管的第一端互连,第三晶体管的第一端、第四晶体管的第一端和第十晶体管的第三端互连,第三晶体管的第三端、第六晶体管的第三端、第九晶体管的第一端和第九晶体管的第二端互连,第四晶体管的第三端、第五晶体管的第三端和第八晶体管的第二端互连,第五晶体管的第一端、第六晶体管的第一端和第十一晶体管的第三端互连,第二晶体管的第三端与第六晶体管的第二端连接。本发明专利技术消除了晶体管基极电流带来的偏差,通过对晶体管集电极电压的设置,减小三极管厄利效应的影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及乘法器领域,尤其涉及的是一种乘法器电路和电子设备


技术介绍

1、乘法器作为集成电路中的基本模块,广泛应用于人工神经网络、自适应滤波、调制与解调、频率变换等许多信号处理领域中,目前许多设计技术和电路结构都是围绕乘法器各项性能优化展开的,如高速、低功耗、低电源电压、高带宽等。例如在功率因数校正(powerfactor correction,简称pfc)的应用中,大部分pfc控制芯片需要乘法器来实现其功能。

2、乘法器的设计有多种方法:有的利用mos管电压电流的平方律关系来实现,有的利用mos管在线性区的伏安特性来实现,有的利用吉尔伯特单元来实现,这些方法都普遍存在线性输入范围小、非线性误差大和失真度大的缺陷。还有使用三极管为对数关系的电压电流实现乘法,但其未考虑三极管的厄利效应,实现对数关系的三极管集电极发射极压降不同,会带来线性误差;同时也忽略了基极电流的影响,当三极管增益不大时,基极电流也会带来误差。


技术实现思路

1、鉴于上述现有技术的不足,本专利技术的目的在于提供一种乘法器电路本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种乘法器电路,其特征在于,包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管、第十一晶体管和第十二晶体管;

2.如权利要求1所述的乘法器电路,其特征在于,所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第八晶体管、所述第九晶体管、所述第十晶体管、所述第十一晶体管和所述第十二晶体管为NMOS管,所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管和所述第七晶体管为NPN三极管,所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第八晶体管、所述第九晶体管、所述第十晶体管、所述第十一晶体管和所述第十二晶体管的第一端为NM...

【技术特征摘要】

1.一种乘法器电路,其特征在于,包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管、第十一晶体管和第十二晶体管;

2.如权利要求1所述的乘法器电路,其特征在于,所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第八晶体管、所述第九晶体管、所述第十晶体管、所述第十一晶体管和所述第十二晶体管为nmos管,所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管和所述第七晶体管为npn三极管,所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第八晶体管、所述第九晶体管、所述第十晶体管、所述第十一晶体管和所述第十二晶体管的第一端为nmos管的栅极,所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第八晶体管、所述第九晶体管、所述第十晶体管、所述第十一晶体管和所述第十二晶体管的第二端为nmos管的漏极,所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第八晶体管、所述第九晶体管、所述第十晶体管、所述第十一晶体管和所述第十二晶体管的第三端为nmos管的源极,所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管和所述第七晶体管的第一端为npn三极管的基极,所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管和所述第七晶体管的第二端为npn三极管的集电极,所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管和所述第七晶体管的第三端为npn三极管的发射极。

3.如权利要求1所述的乘法器电路,其特征在于,所述第一晶体管和所述第二晶体管为nmos管,所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管、所述第七晶体管、所述第八晶体管、所述第九晶体管、所述第十晶体管、所述第十一晶体管和所述第十二晶体管为npn三极管,所述第一晶体管和所述第二晶体管的第一端为nmos管的栅极,所述第一晶体管和所述第二晶体管的第二端为nmos管的漏极,所述第一晶体管和所述第二晶体管的第三端为nmos管的源极,所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管、所述第七晶体管、所述第八晶体管、所述第九晶体管、所述第十晶体管、所述第十一晶体管和所述第十二晶体管的第一端为npn三极管的基极,所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘洋
申请(专利权)人:广东巨风半导体有限公司
类型:发明
国别省市:

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