多孔氧化铝陶瓷及其制备方法、半导体真空吸盘和应用技术

技术编号:46593434 阅读:0 留言:0更新日期:2025-10-10 21:27
本发明专利技术属于氮化铝制备技术领域,具体涉及一种多孔氧化铝陶瓷及其制备方法、半导体真空吸盘和应用。所述多孔氧化铝陶瓷包括多孔陶瓷基体;所述多孔陶瓷基体包括如下重量份数的原料:100份氧化铝、10份~20份聚苯胺、10份~20份多巴胺、3份~5份环硼氮六烷、3份~5份氧化铝。本发明专利技术提供的多孔氧化铝陶瓷具有很高的机械强度和导热性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于氧化铝陶瓷制备,具体涉及一种多孔氧化铝陶瓷及其制备方法、半导体真空吸盘和应用


技术介绍

1、多孔氧化铝陶瓷是一种高性能结构材料,具有独特的孔隙结构,广泛应用于过滤、催化、生物医学等领域。多孔氧化铝陶瓷的制备工艺一般有造孔剂法、颗粒堆积烧结法、溶胶-凝胶法等,这些工艺对参数(如温度、压力、烧结助剂)极为敏感,微小偏差可能导致孔隙率或力学性能降低。由此可见,多孔氧化铝陶瓷的制备工艺决定成品陶瓷的性能。传统的多孔氧化铝陶瓷的制备工艺制得的产品力学、导热等性能均显著下降,无法达到需求。

2、为了提高多孔氧化铝陶瓷的力学、导热等性能,通常采用引入第二相(如zro2、tio2)增强力学性能、对氧化铝进行表面改性和结构优化等工艺,但现有的这些工艺对氧化铝的孔隙尺寸、分布和连通性的控制难度大,易出现局部密度不均或孔道连通性差的问题,影响性能一致性,从而导致陶瓷的力学、导热等性能不足。


技术实现思路

1、为解决上述问题,本专利技术提出一种多孔氧化铝陶瓷及其制备方法、半导体真空吸盘和应用。以解决上述技本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种多孔氧化铝陶瓷,其特征在于,包括多孔陶瓷基体;

2.根据权利要求1所述的多孔氧化铝陶瓷,其特征在于,所述多孔陶瓷基体的平均孔径为90μm~120μm。

3.根据权利要求1或2所述的多孔氧化铝陶瓷,其特征在于,所述多孔氧化铝陶瓷还包括包覆在陶瓷基体表面的包覆层。

4.根据权利要求3所述的多孔氧化铝陶瓷,其特征在于,所述包覆层满足以下条件(1)~(2)中的至少一种:

5.一种如权利要求1~4任一项所述的多孔氧化铝陶瓷的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

6.根据权利要求5所述的多孔氧化铝陶瓷的制备方法,其特征在于,所述制备...

【技术特征摘要】

1.一种多孔氧化铝陶瓷,其特征在于,包括多孔陶瓷基体;

2.根据权利要求1所述的多孔氧化铝陶瓷,其特征在于,所述多孔陶瓷基体的平均孔径为90μm~120μm。

3.根据权利要求1或2所述的多孔氧化铝陶瓷,其特征在于,所述多孔氧化铝陶瓷还包括包覆在陶瓷基体表面的包覆层。

4.根据权利要求3所述的多孔氧化铝陶瓷,其特征在于,所述包覆层满足以下条件(1)~(2)中的至少一种:

5.一种如权利要求1~4任一项所述的多孔氧化铝陶瓷的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

6....

【专利技术属性】
技术研发人员:王璨肖亮陈辉
申请(专利权)人:湖南湘瓷科艺有限公司
类型:发明
国别省市:

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