一种R-T-B稀土永磁体的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种R‑T‑B稀土永磁体的制备方法，包括以下步骤：步骤一、包覆物涂覆：用第一包覆物对永磁体基体表面S1区域进行涂覆，得到第一包覆区域S1，用第二包覆物对永磁体基体表面S2区域进行涂覆，得到第二包覆区域S2；第一包覆区域S1≤S，第二包覆区域S2≤S，S为涂覆面所在的磁体表面区域，第一包覆物、第二包覆物由含Dy和/或Tb的纯金属、氢化物、氟化物、氧化物的一种或多种成分组成；步骤二、将步骤一得到的磁体，进行晶界扩散处理，冷却后进行时效处理，得到R‑T‑B稀土永磁体。本发明专利技术的优点在于：能够减少重稀土在晶粒主相中的扩散，减少了重稀土用量，能够实现对选定区域的矫顽力进一步增强。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及稀土永磁体制备，具体地说是一种r-t-b稀土永磁体的制备方法。

技术介绍

1、r-t-b稀土永磁材料具有高剩磁、高矫顽力及大磁能积的优点，在现代工业和电子技术中获得了广泛应用，如电子计算机、自动化控制系统、电动机与发电机、核磁共振成像仪、音响器件、材料分选装置、通讯设备等诸多领域。随着新应用领域的开拓及应用条件的苛刻多变，具有高矫顽力的产品需求越来越多。矫顽力是永磁材料的主要特性之一，提高矫顽力一直是稀土永磁材料研究和理论研究的重要课题。

2、r-t-b稀土永磁材料主相nd2fe14b的饱和磁感应强度很高，约为1.61t(16.1kgs)，理论磁能积可达512 kj/m3，nd2fe14b具有非常高的各向异性场(ha)，其矫顽力的理论极限高达70koe。但是实际nd-fe-b 磁体由主相nd2fe14b、富nd相、富b相组成，磁体的矫顽力仅为理论值的十分之一到二分之一，且磁体剩磁、磁能积主要由磁性相nd2fe14b决定，矫顽力主要由富nd相和微观结构决定。从烧结钕铁硼材料的反磁化机理来看，矫顽力主要是反磁化畴在晶界处的形核机制，这本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种R-T-B稀土永磁体的制备方法，其特征是：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种R-T-B稀土永磁体的制备方法，其特征是：所述的步骤一中，所述的第一包覆区域S1与第二包覆区域S2存在重合区域S12，以及S上存在未覆盖任何涂层区域S0，且0≤S12≤S，0≤S0≤0.5S。

3.根据权利要求1所述的一种R-T-B稀土永磁体的制备方法，其特征是：包覆区域位于垂直于R-T-B稀土永磁体取向方向的表面。

4.根据权利要求3所述的一种R-T-B稀土永磁体的制备方法，其特征是：两个垂直于R-T-B稀土永磁体取向方向的表面均进行包覆物涂覆。

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【技术特征摘要】

1.一种r-t-b稀土永磁体的制备方法，其特征是：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种r-t-b稀土永磁体的制备方法，其特征是：所述的步骤一中，所述的第一包覆区域s1与第二包覆区域s2存在重合区域s12，以及s上存在未覆盖任何涂层区域s0，且0≤s12≤s，0≤s0≤0.5s。

3.根据权利要求1所述的一种r-t-b稀土永磁体的制备方法，其特征是：包覆区域位于垂直于r-t-b稀土永磁体取向方向的表面。

4.根据权利要求3所述的一种r-t-b稀土永磁体的制备方法，其特征是：两个垂直于r-t-b稀土永磁体取向方向的表面均进行包覆物涂覆。

5.根据权利要求1所述的一种r-t-b稀土永磁体的制备方法，其特征是：所述的第一包覆物、第二包覆物中，还包括涂覆所需的有机溶液。

6.根据权利要求1所述的一种r-t-b稀土永磁体的制备方法，其特征是：含dy和/或tb的氢化物成分为r1-a-btaxb，其中r为重稀土稀土元素dy、tb、ho中的一种或多种；t为la、ce、pr、nd、gd、al、cu、ga、co、fe、nb、ti、zr中的一种或多种，x为h、o、n、c、b中的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：李建忠，金伟洋，姜华，吴厅兰，彭研硕，时锐，王秦，周鸿波，
申请(专利权)人：宁波永久磁业有限公司，
类型：发明
国别省市：

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