基于自动控制系统的晶圆研磨抛光装置制造方法及图纸

技术编号:46584163 阅读:1 留言:0更新日期:2025-10-10 21:21
本发明专利技术涉及晶圆研磨抛光技术领域,尤其涉及基于自动控制系统的晶圆研磨抛光装置。为了克服单面研磨会导致晶圆因应力分布不均产生损坏的缺点。包括上下对称分布且均设置于外壳的两个电控研磨盘,以及安装于所述外壳的固定盘,所述固定盘设置有周向均匀分布的放置环,所述放置环内可拆卸连接有模具环。本发明专利技术通过两个电控研磨盘同时对多个晶圆进行研磨,模具环对晶圆进行固定,提高晶圆研磨效率的同时,对晶圆上下表面进行同时研磨,使晶圆各处应力分布均匀,降低晶圆单面研磨受压发生损坏的概率,并且避免晶圆单面研磨过程中需要进行翻面的现象发生,从而降低晶圆在翻面过程中被污染的概率,进而提高晶圆研磨后的质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶圆研磨抛光,尤其涉及基于自动控制系统的晶圆研磨抛光装置


技术介绍

1、晶圆是半导体制造的核心基材,晶圆表面的平整度直接关系到芯片的性能,因此在对晶圆进行生产时,需要对晶圆表面进行研磨和抛光,现有的晶圆研磨设备采用基于集成智能编程和实时监测的自动控制系统,在对晶圆进行研磨抛光时,使研磨盘与晶圆产生相对转动,从而对晶圆的单侧表面进行研磨抛光,在晶圆单侧面研磨抛光完毕后,对晶圆进行翻面,再对晶圆另一边进行研磨抛光,这种打磨抛光方式不仅效率低下,还容易导致晶圆在翻面后,已抛光的一面受到外部环境污染,从而影响晶圆研磨抛光的效果,并且在对晶圆进行单面研磨抛光时,还会导致晶圆单面受压,致使晶圆整体应力分布不仅,进而导致晶圆表面在研磨和抛光过程中产生微裂缝,甚至导致晶圆损坏,进而影响晶圆研磨抛光后的质量。


技术实现思路

1、为了克服单面研磨会导致晶圆因应力分布不均产生损坏的缺点,本专利技术提供了基于自动控制系统的晶圆研磨抛光装置。

2、技术方案为:基于自动控制系统的晶圆研磨抛光装置,包括上下对称本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.基于自动控制系统的晶圆研磨抛光装置,其特征是,包括上下对称分布且均设置于外壳(1)的两个电控研磨盘(2),以及安装于所述外壳(1)的固定盘(3),所述固定盘(3)位于两个所述电控研磨盘(2)之间,所述固定盘(3)设置有周向均匀分布的放置环(4),所述放置环(4)内可拆卸连接有模具环(5)。

2.根据权利要求1所述的基于自动控制系统的晶圆研磨抛光装置,其特征是,所述固定盘(3)设置有周向均匀分布且数量与所述放置环(4)数量相同的电磁滑轨,该电磁滑轨内滑动连接有电磁滑块(6),所述电磁滑块(6)固接有连接杆(7),所述连接杆(7)固接有与所述固定盘(3)滑动连接的滑动块(8)...

【技术特征摘要】

1.基于自动控制系统的晶圆研磨抛光装置,其特征是,包括上下对称分布且均设置于外壳(1)的两个电控研磨盘(2),以及安装于所述外壳(1)的固定盘(3),所述固定盘(3)位于两个所述电控研磨盘(2)之间,所述固定盘(3)设置有周向均匀分布的放置环(4),所述放置环(4)内可拆卸连接有模具环(5)。

2.根据权利要求1所述的基于自动控制系统的晶圆研磨抛光装置,其特征是,所述固定盘(3)设置有周向均匀分布且数量与所述放置环(4)数量相同的电磁滑轨,该电磁滑轨内滑动连接有电磁滑块(6),所述电磁滑块(6)固接有连接杆(7),所述连接杆(7)固接有与所述固定盘(3)滑动连接的滑动块(8),所述连接杆(7)固接有转动环(9),所述转动环(9)与相邻所述放置环(4)转动连接。

3.根据权利要求2所述的基于自动控制系统的晶圆研磨抛光装置,其特征是,所述固定盘(3)滑动连接有周向分布且数量与所述放置环(4)数量相同的摩擦尺(10),所述放置环(4)外侧面为粗糙面,所述摩擦尺(10)用于带动所述放置环(4)转动。

4.根据权利要求3所述的基于自动控制系统的晶圆研磨抛光装置,其特征是,所述固定盘(3)与下侧相邻所述电控研磨盘(2)贴合,所述摩擦尺(10)的下侧面与下侧相邻所述电控研磨盘(2)之间存在距离。

5.根据权利要求4所述的基于自动控制系统的晶圆研磨抛光装置,其特征是,所述模具环(5)内固接有柔性环(11),所述柔性环(11)的内侧面为粗糙面。

6.根据权利要求5所述的基于自动控制系统的晶圆研磨抛光装置,其特征是,所述柔性环(11)的高度小于相邻所述模具环(5)的高度,所述电...

【专利技术属性】
技术研发人员:赖昌美夏奔王青张丰麟赖昌明
申请(专利权)人:赣州职业技术学院
类型:发明
国别省市:

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