【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制备，具体而言，涉及一种反应物温度控制装置及化学气相沉积设备。
技术介绍
1、化学气相沉积(chemical vapor deposition,cvd)设备是一种用于在基材表面沉积薄膜材料的重要工具。cvd技术广泛应用于半导体制造、光学涂层、材料科学等领域。cvd设备通过将反应物引入反应腔室，并在一定的温度和压力条件下，促使气体分子在基材表面发生化学反应，从而形成所需的薄膜材料。具体的，化学气相沉积包括反应腔室、气体供应系统、排气系统、温度控制系统以及真空系统，其中，反应腔室内设置有基材台，用于放置基材，气体供应系统为以气态形成为反应腔室内供应反应物，反应物在反应腔室内沉积至基材表面，形成薄膜；多余的气体和副产物由排气系统排出。
2、气体供应系统包括储物罐，气体输送管道、流量控制器以及温度控制器，储物罐上设置加热组件，用于对储物罐内的物体进行加热，并在载气的携带下以气体的形式进入反应腔室，温度控制器分别与温度控制器和加热组件连接，以使储物罐的温度保持在预设温度范围内。当储物罐的温度超出预设范围时，温度控制器报...
【技术保护点】
1.一种反应物温度控制装置，其特征在于，包括储物罐以及设置在所述储物罐上的加热组件，所述储物罐上还设置有温度传感器和温控开关，所述温度传感器和所述加热组件还分别连接温度控制器，所述储物罐具有第一预设温度范围内的第一状态和具有第二预设温度范围内的第二状态，所述第一预设温度范围在所述第二预设温度范围内，所述温度控制器控制所述加热组件加热使得所述储物罐由第二状态转换为第一状态并保持在第一状态，所述温度控制器还与所述温控开关连接，以在所述储物罐由第一状态转换为第二状态后时触发报警信号。
2.根据权利要求1所述的反应物温度控制装置，其特征在于，还包括报警组件，所述报...
【技术特征摘要】
1.一种反应物温度控制装置，其特征在于，包括储物罐以及设置在所述储物罐上的加热组件，所述储物罐上还设置有温度传感器和温控开关，所述温度传感器和所述加热组件还分别连接温度控制器，所述储物罐具有第一预设温度范围内的第一状态和具有第二预设温度范围内的第二状态，所述第一预设温度范围在所述第二预设温度范围内，所述温度控制器控制所述加热组件加热使得所述储物罐由第二状态转换为第一状态并保持在第一状态，所述温度控制器还与所述温控开关连接，以在所述储物罐由第一状态转换为第二状态后时触发报警信号。
2.根据权利要求1所述的反应物温度控制装置，其特征在于，还包括报警组件，所述报警组件在所述温控开关触发报警信号时报警，或者在所述储物罐的温度超出第一预设温度范围时报警。
3.根据权利要求1所述的反应物温度控制装置，其特征在于，所述储物罐为液体储物罐，...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡文海，
申请(专利权)人：湖北星辰技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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