精制硅的制造方法技术

本发明专利技术由Ｃ↓［１０ｍａｘ］和Ｙ↓［０］预先求得满足下式（１）的标准温度梯度（Ｔ↓［０］）和标准凝固速度（Ｒ↓［０］）。ｋ＝｛Ｋ↓［１］×Ｌｎ（Ｒ↓［０］）＋Ｋ↓［２］｝×｛Ｋ↓［３］×ｅｘｐ［Ｋ↓［４］×Ｒ↓［０］×（Ｋ↓［５］×Ｃ↓［２］＋Ｋ↓［６］）］｝×｛Ｋ↓［７］×Ｔ↓［０］＋Ｋ↓［８］｝－Ｋ↓［９］（１）［ｋ为选自按照满足式（２）而求得的铝有效分配系数ｋ’的０．９倍～１．１倍范围的系数，Ｃ↓［１０ｍａｘ］＝ｋ′×Ｃ↓［２］×（１－Ｙ↓［０］）↑［ｋ′－１］（２）（ｋ’为铝有效分配系数、Ｃ↓［２］为原料硅熔融液的铝浓度。）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及，详细地说涉及通过在铸模内在将 温度梯度设为单向的状态下对含铝的原料硅熔融液进行冷却使其凝 固的所谓方向凝固法制造精制硅的方法。
技术介绍
作为从含铝的原料硅熔融液(2)中除去铝制造精制硅(1)的方 法，已知如图l所示在铸模(3)内在将温度梯度(T)设为单向的状 态下对原料硅熔融液(2)进行冷却使其凝固的所谓方向凝固法。根 据该方法，由于原料硅熔融液(2)在从温度梯度(T)的低温侧(21 ) 向高温侧(22)偏析铝的同时发生凝固、变为硅方向凝固物(4)， 因此，该硅方向凝固物(4)由处于凝固时的温度梯度(T)的低温侧 (21)且铝浓度(C)较低的精制硅区域(41)和处于温度梯度(T) 的高温侧(22)且铝浓度(C)较高的粗硅区域(45)的2个区域构 成。其中，通过从硅方向凝固物(4)中切除粗硅区域(45),作为 铝浓度(C)较低的精制硅区域(41)，可以获得目标的精制硅(1) 。在该方向凝固法中，由于温度梯度(T)越大、或者凝固速度(R) 越慢，则越多的铝在高温侧(22)偏析，因此可以更多地获得最大铝 浓度良好的精制硅(l),但设置大的温度梯度(T)需要大型的设备、 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种精制硅（１）的制造方法，其为通过在铸模（３）内在将温度梯度（Ｔ）设为单向的状态下对含铝的原料硅熔融液（２）进行冷却，获得含有铝浓度（Ｃ）为目标最大铝浓度（Ｃ↓［１０ｍａｘ］（ｐｐｍ））以下的精制硅区域（４１）和超过目标最大铝浓度（Ｃ↓［１０ｍａｘ］）的粗硅区域（４５）的硅方向凝固物（４），从所得硅方向凝固物（４）中切除粗硅区域（４５）获得铝浓度（Ｃ（ｐｐｍ））为目标最大铝浓度（Ｃ↓［１０ｍａｘ］）以下的精制硅（１）的方法，其特征在于，预先由目标最大铝浓度（Ｃ↓［１０ｍａｘ］）、用上述精制硅（１）的质量（Ｍ↓［１］）与所用原料硅熔融液（２）的质量（Ｍ↓［２］）之比（Ｍ↓［１］／Ｍ↓［２］）表...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：惠智裕，田渕宏，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]