一种利用晶界扩散制备高综合性能高丰度铈磁体的工艺制造技术

技术编号:46566419 阅读:2 留言:0更新日期:2025-10-10 21:16
本发明专利技术公开了一种利用晶界扩散制备高综合性能高丰度铈磁体的工艺,通过制备合金组分不含Al和Cu的铈磁体基材,同时制备包含Al、Cu的合金扩散源浆料,并利用丝网印刷镀膜工艺,将合金扩散源浆料双面镀膜在铈磁体基材,然后通过扩散热处理技术得到高Ce含量的高综合性能铈磁体扩散片。本发明专利技术具有以下优点和效果:本方案能够大量利用高丰度稀土元素Ce制备出高剩磁、高内禀矫顽力铈磁体,具有大幅度节约磁体成本的效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及烧结钕铁硼材料制备,特别涉及一种利用晶界扩散制备高综合性能高丰度铈磁体的工艺


技术介绍

1、稀土是一种不可再生资源,现有市场上的高性能稀土永磁材料主要依赖钕(nd)、镨(pr)、镝(dy)、铽(tb)等稀缺元素,而高丰度稀土元素铈(ce)因磁性能较弱,直接用于永磁体会导致磁体性能明显下降。nd2fe14b的饱和磁化强度ms=1.6t,磁晶各向异性场ha=5811ka/m,用ce替换钕铁硼中稀土元素pr、nd来制备铈磁体时,由于ce2fe14b的饱和磁化强度ms=1.17t,磁晶各向异性场ha=2070ka/m,ce2fe14b的饱和磁化强度ms仅为nd2fe14b的73%左右,磁晶各向异性场ha仅为nd2fe14b的35%左右,使得铈磁体在剩磁(br)和内禀矫顽力(hcj)等磁性能方面均落后于传统钕铁硼磁体,想要直接获得高剩磁、高内禀矫顽力的高综合性能铈磁体是极为困难的。故目前稀土元素ce难以被主流应用接纳,导致出现了稀土元素ce大量囤积的情况,高丰度稀土元素ce的成本远低于pr、nd元素,若是在磁体性能影响较小的情况下,能够将高丰度稀土元本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种利用晶界扩散制备高综合性能高丰度铈磁体的工艺,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种利用晶界扩散制备高综合性能高丰度铈磁体的工艺,其特征在于,步骤S1包括以下步骤:

3.根据权利要求2所述的一种利用晶界扩散制备高综合性能高丰度铈磁体的工艺,其特征在于:步骤S103中的成型压机压型过程中磁场≥1.5T,且保持口径Φ=50mm。

4.根据权利要求2所述的一种利用晶界扩散制备高综合性能高丰度铈磁体的工艺,其特征在于:步骤S104中冷等静压设备的压强控制在150-280Mpa之间,得到密度为4.4-4.8g/cm3的等静压坯料。...

【技术特征摘要】

1.一种利用晶界扩散制备高综合性能高丰度铈磁体的工艺,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种利用晶界扩散制备高综合性能高丰度铈磁体的工艺,其特征在于,步骤s1包括以下步骤:

3.根据权利要求2所述的一种利用晶界扩散制备高综合性能高丰度铈磁体的工艺,其特征在于:步骤s103中的成型压机压型过程中磁场≥1.5t,且保持口径φ=50mm。

4.根据权利要求2所述的一种利用晶界扩散制备高综合性能高丰度铈磁体的工艺,其特征在于:步骤s104中冷等静压设备的压强控制在150-280mpa之间,得到密度为4.4-4.8g/cm3的等静压坯料。

5.根据权利要求2所述的一种利用晶界扩散制备高综合性能高丰度铈磁体的工艺,其特征在于,步骤s105中的烧结工艺具体包括以下步骤:

6.根据权利要求2所述的一种利用晶界扩散制备高综合性能高丰度铈磁体的工艺,其特征在于,步骤s105后还包括步骤s106,步骤s106包括以下步骤:

7.根据权利要求1所述的一...

【专利技术属性】
技术研发人员:吕忠山邹璐静郁天其黄能彬
申请(专利权)人:宁波复能磁材科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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