开关单元及隔离开关或双电源转换开关制造技术

技术编号:46566383 阅读:0 留言:0更新日期:2025-10-10 21:16
本申请公开一种开关单元及隔离开关或双电源转换开关,涉及低压电器技术领域,包括触头机构以及灭弧机构,触头机构包括动触头和静触头,动触头相对静触头运动,以形成配合静触头分合闸的运动路径,灭弧机构包括安装腔室、灭弧栅片和传导栅片,沿动触头的运动路径,安装腔室划分为靠近静触头一侧的第一子腔室以及背离静触头一侧的第二子腔室,灭弧栅片包括位于第一子腔室内的第一子栅片以及位于第二子腔室内的第二子栅片;传导栅片与第一子栅片连接并朝向第二子腔室延伸,和/或,传导栅片与第二子栅片连接并朝向第一子腔室延伸。该开关单元能够解决现有技术中动触头分闸时电弧难以向灭弧室深处迁移的问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及低压电器,具体而言,涉及一种开关单元及隔离开关或双电源转换开关


技术介绍

1、开关电器在电力系统中起着两方面的作用:一是控制作用,即根据电力系统运行需要,将一部分电力设备或线路投入或退出运行;二是保护作用,即在电力设备或线路发生故障时,将故障部分从电力系统中迅速切除,保证电力系统无故障部分的正常运行。

2、现有技术中,开关电器的动触头能够相对静触头运动,以背离或靠近静触头,从而实现分合闸。在动触头分闸过程中,其扫掠区域形成的电场与灭弧栅片周边的电场强度处于相近水平,这种电场分布的均衡性削弱了电弧向灭弧室深处迁移的驱动力,使得电弧难以顺利进入灭弧室末端区域。


技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种开关单元及隔离开关或双电源转换开关,能够解决现有技术中动触头分闸时因其扫掠区域形成的电场与灭弧栅片周边的电场强度相近而导致电弧难以向灭弧室深处迁移的问题。

2、本申请的实施例是这样实现的:

3、本申请实施例的第一方面,提供一种开关单元,包括触头机构以及设置于所述触头机本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种开关单元,其特征在于,包括触头机构以及设置于所述触头机构一侧的灭弧机构,所述触头机构包括动触头(11)和静触头(12),所述动触头(11)相对所述静触头(12)运动,以形成配合所述静触头(12)分合闸的运动路径,所述灭弧机构包括安装腔室(21)、灭弧栅片(22)和传导栅片(23),沿所述动触头(11)的运动路径,所述安装腔室(21)划分为靠近所述静触头(12)一侧的第一子腔室(211)以及背离所述静触头(12)一侧的第二子腔室(212),所述灭弧栅片(22)包括位于所述第一子腔室(211)内的第一子栅片(221)以及位于所述第二子腔室(212)内的第二子栅片(222);所述传导栅...

【技术特征摘要】

1.一种开关单元,其特征在于,包括触头机构以及设置于所述触头机构一侧的灭弧机构,所述触头机构包括动触头(11)和静触头(12),所述动触头(11)相对所述静触头(12)运动,以形成配合所述静触头(12)分合闸的运动路径,所述灭弧机构包括安装腔室(21)、灭弧栅片(22)和传导栅片(23),沿所述动触头(11)的运动路径,所述安装腔室(21)划分为靠近所述静触头(12)一侧的第一子腔室(211)以及背离所述静触头(12)一侧的第二子腔室(212),所述灭弧栅片(22)包括位于所述第一子腔室(211)内的第一子栅片(221)以及位于所述第二子腔室(212)内的第二子栅片(222);所述传导栅片(23)与所述第一子栅片(221)连接并朝向所述第二子腔室(212)延伸,和/或,所述传导栅片(23)与所述第二子栅片(222)连接并朝向所述第一子腔室(211)延伸。

2.根据权利要求1所述的开关单元,其特征在于,所述传导栅片(23)的数量为一个,所述传导栅片(23)与所述第一子栅片(221)连接并朝向所述第二子栅片(222)延伸,或者,所述传导栅片(23)与所述第二子栅片(222)连接并朝向所述第一子栅片(221)延伸。

3.根据权利要求1所述的开关单元,其特征在于,所述传导栅片(23)的数量为至少两个,一所述传导栅片(23)与所述第一子栅片(221)连接并朝向所述第二子栅片(222)延伸,另一所述传导栅片(23)与所述第二子栅片(222)连接并朝向所述第一子栅片(221)延伸,且沿所述动触头(11)的运动方向分布的两个所述传导栅片(23)呈间隔设置。

4.根据权利要求1~3任意一项所述的开关单元,其特征在于,还包括壳体(30),所述传导栅片(23)位于所述安装腔室(21)背离所述动触头(11)的一侧,所述传导栅片(23)包括与所述第一子栅片(221)和/或所述第二子栅片(222)连接的连接段(231)和沿所述灭弧栅片(22)的排列方向(a)延伸的延伸段(232),所述壳体(30)上设有第一筋条(31),所述第一筋条(31)位于所述灭弧栅片(22)与所述延伸段(...

【专利技术属性】
技术研发人员:李志坚李公久钟允攀
申请(专利权)人:上海良信电器股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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