【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电场传感器,尤其是一种mems电场传感器、封装方法及封装设备。
技术介绍
1、mems电场传感器广泛应用于航空航天、气象、电力、工业生产等诸多方面,对安全保障和科学研究都具有重要的作用。
2、mems电场传感器的封装工艺是影响mems电场传感器实用化的关键技术,近年来倍受关注。
3、如图1所示,在公开号为cn119038487a的专利文献中公开一种真空封装器件,包括封装盖板1、电场敏感芯片2与封装管壳3,封装盖板1通过可伐焊环6扣合、且固定在封装管壳3的敞开端面上,以形成电场敏感芯片2的封装结构。
4、然而,由于封装盖板上不具有定位结构,且封装盖板与封装管壳之间手动定位精度低,在焊接时,封装盖板的位置容易发生偏移,不能精准覆盖封装管壳中顶部端面的指定区域,使得封装盖板无法全部覆盖在可伐焊环的顶部端面上,不但影响气密性,还会导致缝焊位置不美观。
5、因此,如何将封装盖板精准扣合在封装管壳的顶端,当可伐焊环熔化后,确保封装盖板覆盖在可伐焊环的顶端,以增加气密性,避免缝焊位置不
...【技术保护点】
1.一种MEMS电场传感器,包括封装盖板、封装管壳与电场敏感芯片,所述封装盖板与所述封装管壳固定后构成所述电场敏感芯片的封装结构,为固定所述电场敏感芯片提供空间,在所述封装管壳的上端面覆盖有可伐焊环,其特征在于,所述封装盖板的底部端面的局部区域向所述封装盖板的顶部端面的方向凹陷后,形成定位凸起、以及围绕所述定位凸起的配合部;
2.根据权利要求1所述的MEMS电场传感器,其特征在于,对所述封装盖板、所述封装管壳、所述电场敏感芯片与封装腔体进行预处理,使得所述封装腔体的内部的水氧含量达到预设值、真空度处于指定的微负压状态,以及去除所述封装腔体中所述封装盖板、所
...【技术特征摘要】
1.一种mems电场传感器,包括封装盖板、封装管壳与电场敏感芯片,所述封装盖板与所述封装管壳固定后构成所述电场敏感芯片的封装结构,为固定所述电场敏感芯片提供空间,在所述封装管壳的上端面覆盖有可伐焊环,其特征在于,所述封装盖板的底部端面的局部区域向所述封装盖板的顶部端面的方向凹陷后,形成定位凸起、以及围绕所述定位凸起的配合部;
2.根据权利要求1所述的mems电场传感器,其特征在于,对所述封装盖板、所述封装管壳、所述电场敏感芯片与封装腔体进行预处理,使得所述封装腔体的内部的水氧含量达到预设值、真空度处于指定的微负压状态,以及去除所述封装腔体中所述封装盖板、所述封装管壳与所述料盒上的水气与杂质。
3.根据权利要求2所述的mems电场传感器,其特征在于,还包括多个焊点与框状凸台,其中,所述框状凸台由所述封装管壳的内壁面的局部区域向上延伸后形成,所述框状凸台与所述封装管壳的内壁面形成放置槽,各所述焊点的一部分置于所述框状凸台与所述封装管壳的内部,各所述焊点的顶部端面位于所述框状凸台的顶部端面的上方区域,并且与所述电场敏感芯片的顶部端面处于同一平面,各所述焊点的底部端面位于所述封装管壳的下方;
4.根据权利要求3所述的mems电场传...
【专利技术属性】
技术研发人员:闻小龙,万振波,张亦弛,闫伟峰,李泽昊,王宙玺,肖江华,吴双,
申请(专利权)人:中科飞龙北京智能科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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