【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体加工的，具体而言，涉及一种附有检漏功能的电容薄膜真空计及其检漏方法。
技术介绍
1、目前，电容薄膜真空计大多采用陶瓷作为传感器部件的主体材料和感压膜片材料，陶瓷材料因其耐高温、抗腐蚀等优异性能被广泛应用。传感器部件的制造过程中，通常需通过活性金属钎焊或玻璃钎焊将膜片与陶瓷连接，从而构建真空腔。然而，传感器的性能直接依赖于真空腔的真空度及密封性，若膜片与陶瓷连接处的密封性不足，真空腔的真空度会逐渐下降，导致传感器性能漂移，最终影响真空度测量的准确性。
2、现有的密封性检测方法需将传感器连接电路系统形成完整真空计后，通过长达数月的重复性能测试间接推断密封效果。此方法不仅耗时过长，且无法直接定位焊缝缺陷，存在检测效率低、误判风险高等问题。尤其在传感器生产过程中，无法快速验证焊接工艺的有效性，导致质量管控滞后，增加了生产成本与产品不稳定性。
3、因此，为了解决现有的附有检漏功能的电容薄膜真空计密封性检测方法需要进行长时间的重复性密封测试导致检测耗时过长、检测效率低和误判风险高的技术问题，亟需一种附有检漏功...
【技术保护点】
1.一种附有检漏功能的电容薄膜真空计，用于检测真空度，其特征在于，包括固定连接的上腔体（1）和下腔体（2）；
2.根据权利要求1所述的附有检漏功能的电容薄膜真空计，其特征在于，所述上腔体（1）顶部设置有真空电极（7）；所述真空电极（7）与所述传感器本体（3）电性连接；
3.根据权利要求2所述的附有检漏功能的电容薄膜真空计，其特征在于，所述下腔体（2）的内部腔体设置有压紧元件（8）；所述压紧元件（8）设置在所述传感器本体（3）的上方；
4.根据权利要求3所述的附有检漏功能的电容薄膜真空计，其特征在于，所述传感器本体（3）包括从上到下依...
【技术特征摘要】
1.一种附有检漏功能的电容薄膜真空计，用于检测真空度，其特征在于，包括固定连接的上腔体（1）和下腔体（2）；
2.根据权利要求1所述的附有检漏功能的电容薄膜真空计，其特征在于，所述上腔体（1）顶部设置有真空电极（7）；所述真空电极（7）与所述传感器本体（3）电性连接；
3.根据权利要求2所述的附有检漏功能的电容薄膜真空计，其特征在于，所述下腔体（2）的内部腔体设置有压紧元件（8）；所述压紧元件（8）设置在所述传感器本体（3）的上方；
4.根据权利要求3所述的附有检漏功能的电容薄膜真空计，其特征在于，所述传感器本体（3）包括从上到下依次放置的电容引出金属（12）、上陶瓷片（9）、第一电极层（13）、第二电极层（14）、陶瓷薄膜片（10）和下陶瓷片（11）；其中，所述上陶瓷片（9）与所述陶瓷薄膜片（10）的边沿之间通过第一焊料（15）连接，使所述上陶瓷片（9）与所述陶瓷薄膜片（10）之间形成所述真空腔（4），所述上陶瓷片（9）的下表面设置有所述第一电极层（13），所述陶瓷薄膜片（10）的上表面设置有所述第二电极层（14），所述第一电极层（13）和所述第二电极层（14）在所述真空腔（4）内平行正对且间隔设置；所述电容引出金属（12）与所述真空电极（7）电性连接；所述第一电极层（13）与所述电容引出金属（12）电性连接；所述陶瓷薄膜片（10）和所述下陶瓷片（11）之间通过第二焊...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘乔，彭冬梅，肖慧，侯少毅，杨振怀，
申请(专利权)人：季华实验室，
类型：发明
国别省市：
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