【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及单晶炉,特别是涉及一种具有复合结构的高辐射率单晶炉热场加热器。
技术介绍
1、拉制单晶硅时,需要使用单晶炉,在特制石英坩埚中,将多晶硅原料融化,然后使用籽晶拉制单晶硅晶棒,随着半导体硅晶圆品质的不断提高,对拉晶过程中晶棒的晶体缺陷有了更高的管控要求,单晶炉的内部结构形成热场(hot zone),而热场的结构及性能直接影响着晶棒的品质,因此热场的设计至关重要。对于一个单晶炉来说,加热器的设计是热场设计的核心之一,加热器分为主加热器和底部加热器,主加热器也称为边部加热器,设置在坩埚的侧面,底部加热器设置在坩埚的底部,其中边部主加热器承担着单晶炉的主要热量输出,在多晶硅料熔化阶段和后期晶棒长晶(body)阶段都起着重要的作用,其形状及加热区域的大小直接影响着拉晶炉温度场,进而影响晶棒的品质。
2、传统的石墨加热器辐射率低,热转换效率差,能耗高,单一材料在1700℃高温下易发生热膨胀开裂,热场均匀性受热膨胀变形影响显著,涂层型高辐射材料与基体热膨胀系数不匹配导致界面结合力弱、易剥落。
技术实
...【技术保护点】
1.一种具有复合结构的高辐射率单晶炉热场加热器,包括保温罩以及设置在保温罩内的坩埚(10),保温罩内壁围绕坩埚(10)设置有主加热器(20),坩埚(20)下方设置有底部加热器(30),其特征在于,所述主加热器(20)内壁设置有支撑骨架(40),支撑骨架(40)由碳纤维增强SiC复合材料构成,且表面设置有环形阵列分布的卡槽(41),卡槽(41)内通过弹性连接件(50)设置有辐射单元(60)与支撑骨架(40)物理隔离,所述辐射单元(60)表面设置有微孔阵列(64),微孔阵列(64)的孔内壁覆盖硼掺杂SiC纳米锥结构(641)形成光学谐振腔。
2.按照权利要求1
...【技术特征摘要】
1.一种具有复合结构的高辐射率单晶炉热场加热器,包括保温罩以及设置在保温罩内的坩埚(10),保温罩内壁围绕坩埚(10)设置有主加热器(20),坩埚(20)下方设置有底部加热器(30),其特征在于,所述主加热器(20)内壁设置有支撑骨架(40),支撑骨架(40)由碳纤维增强sic复合材料构成,且表面设置有环形阵列分布的卡槽(41),卡槽(41)内通过弹性连接件(50)设置有辐射单元(60)与支撑骨架(40)物理隔离,所述辐射单元(60)表面设置有微孔阵列(64),微孔阵列(64)的孔内壁覆盖硼掺杂sic纳米锥结构(641)形成光学谐振腔。
2.按照权利要求1所述的一种具有复合结构的高辐射率单晶炉热场加热器,其特征在于,所述辐射单元(60)为多层复合结构,包括设置于卡槽(41)内侧的基体层(61)、覆盖于基体层(61)表面的过渡层(62)以及设置于过渡层(62)表面的辐射层(63),基体层(61)采用厚度为2mm~4mm的高纯细晶石墨和垂直阵列碳纳米管制成,过渡层(62)采用厚度为0.2mm~0.5mm的sic与石墨的梯度复合材料制成,sic含量由20%~80%梯度变化,辐射层(63)采用厚度为50μm~100μm的多孔sic-si3n4陶瓷基体与原位生长石墨烯的复合结构制成。
3.按照权利要求2所述的一种具有复合结构的高辐射率单晶炉热场加热器,其特征在于,所述辐射层(63)在2.5μm~25μm波长的红外辐射率≥0.92,1700℃下热膨胀系数为4.6×10-6/k。
4.按照权利要求1所述的一种具有复合结构的高辐射率单晶炉热场加热器,其特征在于,所...
【专利技术属性】
技术研发人员:华焱,李东,刘杰,
申请(专利权)人:常州四杰机械科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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