【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片，尤其涉及一种扩散硅压力传感器机芯座及制造工艺。
技术介绍
1、扩散硅压力传感器因其高精度、高稳定性及抗干扰能力，广泛应用于工业自动化、汽车电子设备等领域，尤其在高压、高腐蚀性环境下的压力监测中具有不可替代性。随着智能制造与物联网技术的发展，市场对传感器的微型化、耐压强度及长期可靠性提出了更高要求，而机芯座作为传感器的核心承压与密封结构，其制造工艺直接决定了传感器的性能与成本。
2、传统扩散硅压力传感器机芯座多采用一体式结构，即基座与引线针安装区域通过整体加工及高温烧结工艺成型。此类工艺需在基座加工完成后进行玻璃烧结以实现引线针的密封，但高温烧结会导致基座表面氧化，需额外增加抛光或镀层处理工序，不仅增加制造成本，还易因氧化层残留影响气密性。此外，一体式结构对基座的机加工精度要求极高，尤其是台阶孔与引线针的配合公差需严格控制在微米级，导致良品率低下且加工成本攀升。这一技术瓶颈使得传统机芯座难以兼顾高耐压强度、低成本量产及长期密封可靠性，严重制约了高性能压力传感器的普及应用。
3、鉴于此，需要对现有...
【技术保护点】
1.一种扩散硅压力传感器机芯座的制造工艺，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的扩散硅压力传感器机芯座的制造工艺，其特征在于，所述步骤S1包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述的扩散硅压力传感器机芯座的制造工艺，其特征在于，所述步骤S2包括以下步骤：
4.根据权利要求3所述的扩散硅压力传感器机芯座的制造工艺，其特征在于，所述电阻焊接的焊接参数具体为：
5.根据权利要求4所述的扩散硅压力传感器机芯座的制造工艺，其特征在于，所述步骤S23之后还包括：
6.根据权利要求1所述的扩散硅压力传感器机芯座的...
【技术特征摘要】
1.一种扩散硅压力传感器机芯座的制造工艺，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的扩散硅压力传感器机芯座的制造工艺，其特征在于，所述步骤s1包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述的扩散硅压力传感器机芯座的制造工艺，其特征在于，所述步骤s2包括以下步骤：
4.根据权利要求3所述的扩散硅压力传感器机芯座的制造工艺，其特征在于，所述电阻焊接的焊接参数具体为：
5.根据权利要求4所述的扩散硅压力传感器机芯座的制造工艺，其特征在于，所述步骤s23之后还包括：
6.根据权利要求1所述的扩散硅压力传感器机芯座的...
【专利技术属性】
技术研发人员：何富添，周芝芝，陈文卫，伍岳鹏，
申请(专利权)人：广东华兰海电测科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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