【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及碳化硅晶体加工，更具体地涉及一种碳化硅晶体生长设备。
技术介绍
1、碳化硅是由碳(c)和硅(si)两种元素组成的化合物，晶体结构：碳化硅的晶格结构由致密排列的两个亚晶格组成，每个si(或c)原子与周边包围的c(si)原子通过定向的强四面体sp3键结合。这种结构使得碳化硅具有极高的硬度和稳定性。
2、碳化硅晶体生长设备的工作原理主要基于物理升华法(pvt)。pvt法将碳化硅粉末在高温下升华为气态组分，这些气态组分在温度梯度的作用下从高温区传输至低温区，并在晶种上凝华形成单晶结构。这种方法具备制备高纯度、大尺寸晶体的显著优势。
3、现有碳化硅晶体生长设备在进行使用的过程中存在一些不足，具体如下：
4、现有碳化硅晶体生长设备在进行使用时，首先将需要进行加工的碳化硅放入石墨坩埚中，然后通过石墨坩埚与衬底晶种台的配合，然后将石墨坩埚与衬底晶种台放入加热炉中，然后对其进行加热完成对碳化硅进行加工，但是由于石墨坩埚是直接放置在加热炉的底部，导致石墨坩埚在受热的过程中，由于其底部直接接触炉体底部，不便于...
【技术保护点】
1.一种碳化硅晶体生长设备，包括定位底座(1)，其特征在于：所述定位底座(1)的顶部固定连接有加热炉体(2)，所述加热炉体(2)的顶部安装有顶部密封盖(3)，所述定位底座(1)的顶部安装有石墨坩埚组件(4)，所述加热炉体(2)的内侧安装有加热组件(5)，所述加热炉体(2)内侧的顶部固定连接有密封环板(6)，所述密封环板(6)底部的内侧固定连接有定位环管(7)，所述石墨坩埚组件(4)包括定位旋转组件(401)，所述定位旋转组件(401)的顶部固定连接有伸缩组件(402)，所述伸缩组件(402)的顶部安装有石墨坩埚主体(403)，所述加热组件(5)包括环形加热组件(501...
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶体生长设备，包括定位底座(1)，其特征在于：所述定位底座(1)的顶部固定连接有加热炉体(2)，所述加热炉体(2)的顶部安装有顶部密封盖(3)，所述定位底座(1)的顶部安装有石墨坩埚组件(4)，所述加热炉体(2)的内侧安装有加热组件(5)，所述加热炉体(2)内侧的顶部固定连接有密封环板(6)，所述密封环板(6)底部的内侧固定连接有定位环管(7)，所述石墨坩埚组件(4)包括定位旋转组件(401)，所述定位旋转组件(401)的顶部固定连接有伸缩组件(402)，所述伸缩组件(402)的顶部安装有石墨坩埚主体(403)，所述加热组件(5)包括环形加热组件(501)，所述环形加热组件(501)的顶部安装有第三加热电阻丝(503)，所述第三加热电阻丝(503)的顶部安装有第二加热电阻丝(502)，所述第二加热电阻丝(502)两侧的顶部安装有接线口(504)。
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体生长设备，其特征在于：所述定位底座(1)包括定位箱体(101)，所述定位箱体(101)内侧的底部固定连接有液压缸(102)，所述液压缸(102)的顶部固定连接有多级液压杆(103)，所述加热炉体(2)包括炉体主体(201)，所述炉体主体(201)外侧的顶部固定连接有密封定位法兰(202)，所述密封定位法兰(202)的底部固定连接有定位螺母(203)，所述顶部密封盖(3)包括密封盖主体(301)，所述密封盖主体(301)的顶部安装有密封螺栓(302)。
3.根据权利要求2所述的一种碳化硅晶体生长设备，其特征在于：所述定位旋转组件(401)包括定位圆板(4011)，所述定位圆板(4011)的顶部安装有旋转轴(4012)，所述旋转轴(4012)的顶部固定连接有十字传动块(4013)，所述旋转轴(4012)的外侧固定连接有永磁体(4014)。
4.根据权利要求3所述的一种碳化硅晶体生长设备，其特征在于：所述伸缩组件(402)包括弧形伸缩条(4021)，所述弧形伸缩条(4021)内侧的底部固定连接有弹簧(4022)，所述弹簧(4022)的顶部固定连接有限位弧形板(4023)，所述限位弧形板(4023)的顶部固定连接有弧形升降板(4024)。
5.根据权利要求4所述的一种碳化硅晶体生长设备，其特征在于：所述石墨坩埚主体(403)包括坩埚主体(4031)，所述坩埚主体(4031)内侧...
【专利技术属性】
技术研发人员：范国峰，张皓，张乐乐，门振龙，
申请(专利权)人：江苏兑尚半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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