一种晶圆的激光切割方法技术

本发明专利技术属于晶圆切割技术领域，公开了一种晶圆的激光切割方法，包括以下步骤：在晶圆的正面依次涂覆保护胶和保护液，得到晶圆A；将晶圆A的背面贴在UV膜上，然后进行激光切割，得到晶圆B；对晶圆B进行第一水流冲洗，得到晶圆C；对晶圆C进行扩摸，得到晶圆D；对晶圆D依次进行第一化学溶剂浸泡和第二化学溶剂浸泡，得到晶圆E；对晶圆E的正面进行曝光，然后进行显影液浸泡。本发明专利技术通过晶圆正面的保护胶能够避免晶圆贴UV膜时正面可能产生的划伤风险；同时改善薄片晶圆贴UV膜时的翘曲问题；此外还解决了化学溶剂浸泡导致的晶圆正面芯片边沿空悬的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于晶圆切割，特别涉及一种晶圆的激光切割方法。

技术介绍

1、激光切割凭借其切割精度高、切割速度快、切割道需求窄等优势，在半导体芯片量产流程中广泛应用。为保护半导体晶圆在激光切割中免受污染和机械损伤，通常会在切割前对晶圆上的芯片表面涂保护液，但切割道附近仍会有大量热熔物堆积和残留，这些热熔物及损伤层不仅会污染芯片表面，还可能在后续的挑片和封装过程中引发芯片碎裂等严重问题。目前激光切割后晶圆一般还采用高压水流冲洗或化学溶剂浸泡的方法的对热熔物进行清洗，但清洗过程中可能又会对晶圆表面造成一定损伤。

技术实现思路

1、本专利技术旨在改善
技术介绍
中的至少一个技术问题。

2、本专利技术提供一种晶圆的激光切割方法，晶圆具有形成有芯片的正面和对应于正面的背面，激光切割方法包括以下步骤：

3、在晶圆的正面依次涂覆保护胶和保护液，得到晶圆a；

4、将晶圆a的背面贴在uv膜上，然后进行激光切割，得到晶圆b；

5、对晶圆b进行第一水流冲洗，得到晶圆c；</p>

6、对晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶圆的激光切割方法，其特征在于，所述晶圆具有形成有芯片的正面和对应于所述正面的背面，所述激光切割方法包括以下步骤：在所述晶圆的正面依次涂覆保护胶和保护液，得到晶圆A；

2.根据权利要求1所述的晶圆的激光切割方法，其特征在于，在所述显影液浸泡后进行第四水流冲洗，所述第四水流冲洗的时间为10min-20min。

3.根据权利要求2所述的晶圆的激光切割方法，其特征在于，在所述第四水流冲洗后进行去残胶处理。

4.根据权利要求3所述的晶圆的激光切割方法，其特征在于，所述去残胶处理为等离子体处理，所述等离子体包括氧气等离子体，所述去残胶处理的时间为1-5m...

【技术特征摘要】

1.一种晶圆的激光切割方法，其特征在于，所述晶圆具有形成有芯片的正面和对应于所述正面的背面，所述激光切割方法包括以下步骤：在所述晶圆的正面依次涂覆保护胶和保护液，得到晶圆a；

2.根据权利要求1所述的晶圆的激光切割方法，其特征在于，在所述显影液浸泡后进行第四水流冲洗，所述第四水流冲洗的时间为10min-20min。

3.根据权利要求2所述的晶圆的激光切割方法，其特征在于，在所述第四水流冲洗后进行去残胶处理。

4.根据权利要求3所述的晶圆的激光切割方法，其特征在于，所述去残胶处理为等离子体处理，所述等离子体包括氧气等离子体，所述去残胶处理的时间为1-5min。

5.根据权利要求1所述的晶圆的激光切割方法，其特征在于，所述第一水流冲洗的水压为0.3mpa-0.9mpa，所述第一水流冲洗的时间为10min-20min。

6.根据权利要求1所述的晶圆的激光切割方法，其特征在于，所述磷酸的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李雨晴，井海洋，黄润发，
申请(专利权)人：广东鑫诚光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：