【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及抛光领域,具体涉及一种抛光垫和抛光系统。
技术介绍
1、在半导体制造工艺中,化学机械抛光(cmp)是实现晶圆(wafer)全局平坦化的关键制程。传统的cmp技术依赖于抛光液(slurry)在晶圆与抛光垫(pad)之间的流动,通过抛光液中的化学腐蚀成分(如氧化物)与机械研磨的协同作用,实现材料的高精度去除和表面平坦化。
2、然而,在实际生产过程中,随着抛光时间的延长或特殊抛光环境的影响,抛光液的化学活性会逐渐降低,导致cmp的整体效能下降,影响抛光速率和表面质量。
3、为提高cmp工艺的效能,业界通常采用优化抛光液配方或调整工艺参数的方式,但这些方法往往存在局限性,抛光液难以在长时间抛光过程中维持稳定的化学反应活性。
技术实现思路
1、鉴于上述问题,本申请实施例提供了一种抛光垫和抛光系统,克服了上述或者至少部分地解决了上述现有的抛光液难以在长时间抛光过程中维持稳定的化学反应活性的问题。
2、本申请实施例的第一方面,提供了一种抛光垫,抛光垫包
...【技术保护点】
1.一种抛光垫,其特征在于,所述抛光垫包括:研磨层、上导电胶层、导电布层、下导电胶层和导电离型纸层;
2.根据权利要求1所述的抛光垫,其特征在于,所述研磨层包括聚氨酯材料和导电添料,所述聚氨酯材料为发泡型通孔聚氨酯或者微球型闭孔聚氨酯;
3.根据权利要求2所述的抛光垫,其特征在于,所述导电添料的质量分数为0.1%-25%。
4.根据权利要求1所述的抛光垫,其特征在于,所述研磨层包括无纺布聚氨酯复合材料,所述无纺布聚氨酯复合材料由针刺法制备,以使所述研磨层具有间隙;
5.根据权利要求1所述的抛光垫,其特征在于,所述上导电胶
...【技术特征摘要】
1.一种抛光垫,其特征在于,所述抛光垫包括:研磨层、上导电胶层、导电布层、下导电胶层和导电离型纸层;
2.根据权利要求1所述的抛光垫,其特征在于,所述研磨层包括聚氨酯材料和导电添料,所述聚氨酯材料为发泡型通孔聚氨酯或者微球型闭孔聚氨酯;
3.根据权利要求2所述的抛光垫,其特征在于,所述导电添料的质量分数为0.1%-25%。
4.根据权利要求1所述的抛光垫,其特征在于,所述研磨层包括无纺布聚氨酯复合材料,所述无纺布聚氨酯复合材料由针刺法制备,以使所述研磨层具有间隙;
5.根据权利要求1所述的抛光垫,其特征在于,所述上导电胶层和...
【专利技术属性】
技术研发人员:张历,王财安,顾纬键,
申请(专利权)人:衢州博来派得电子材料有限公司,
类型:发明
国别省市:
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