【技术实现步骤摘要】
本专利技术微通道两相流动沸腾换热领域，尤其是涉及一种针对非均匀分布点热源的微通道热沉结构。
技术介绍
1、随着现代电子科技向高功率密度、高集成度方向快速发展，电子元器件局部热流密度甚至超1000w/cm2，热管理问题已经成为制约其性能提升和可靠运行的关键瓶颈。然而，传统的冷却方式如风冷、单相液冷难以满足高水平散热需求，微通道热沉因其结构紧凑、换热面积大而展现出换热性能强、均温性好以及传热极限高的显著优势，已逐渐成为电子器件高效可靠热管理的优选部件。
2、纵观现有微通道热沉结构，平行微通道因其设计简单、加工方便，在各类微尺度热管理系统中得到了广泛应用。然而，传统平行微通道通常采用等间距、同尺寸的通道布局方式，在实际两相流动过程中，容易引发一系列热流与流动不匹配的问题。特别是在气液两相工况下，由于通道间压力损失和气液分布不均，易在微通道中后段形成气塞、回流等现象，加剧流体相界面不稳定，甚至导致局部干涸，严重影响换热性能和系统可靠性。此外，在实际工程应用中，如高集成度电子芯片、功率器件等散热对象往往呈现非均匀、阵列式热源分布特征。...
【技术保护点】
1.一种仿生微通道热沉，包括工质入口（1）、入口均流缓冲槽（2）、第一微通道结构（3）、第二微通道结构（4）、出口集液槽（5）以及工质出口（6），工质由工质入口（1）流入入口均流缓冲槽（2）后分别进入第一微通道结构（3）和第二微通道结构（4），通过工质潜热和显热吸收壁面热量后流向出口集液槽（5），最后由工质出口（6）流出；其特征在于：所述第一微通道结构（3）为梯级微通道结构，包括微柱阵列（32）、微通道结构（31）以及仿二尖瓣结构（33），所述微柱阵列（32）设置于高热流密度点热源下方，所述微通道结构（31）位于微柱阵列（32）两侧的第一低热流密度区域，所述微通道结构...
【技术特征摘要】
1.一种仿生微通道热沉，包括工质入口（1）、入口均流缓冲槽（2）、第一微通道结构（3）、第二微通道结构（4）、出口集液槽（5）以及工质出口（6），工质由工质入口（1）流入入口均流缓冲槽（2）后分别进入第一微通道结构（3）和第二微通道结构（4），通过工质潜热和显热吸收壁面热量后流向出口集液槽（5），最后由工质出口（6）流出；其特征在于：所述第一微通道结构（3）为梯级微通道结构，包括微柱阵列（32）、微通道结构（31）以及仿二尖瓣结构（33），所述微柱阵列（32）设置于高热流密度点热源下方，所述微通道结构（31）位于微柱阵列（32）两侧的第一低热流密度区域，所述微通道结构由平行的若干个微通道构成，所述仿二尖瓣结构（33）位于所述微通道与微柱阵列的连接区域；所述第二微通道结构位于两个第一微通道结构（3）之间的第二低热流密度区域，所述第二微通道结构由至少一个所述微通道构成；每个所述微通道均具有相同的高度和高度，沿热沉中心线对称分布。
2.根据权利要求1所述的一种仿生微通道热沉，其特征在于：所述微通道底部均布置有纳米线阵列，纳米线阵列间距5-10μm，呈规则方阵排列；纳米线阵列的每根纳米线高度为2-3μm，直径为200-300nm，纳米线间距为400-500nm。
3.根据权利要求1所述的一种仿生微通道热沉，其特征在于：所述微柱阵列（32）的每根微柱高度为480-500μm，直径为380-400μm，微柱间距为280-300μm...
【专利技术属性】
技术研发人员：钟杨帆，陆晓瑞，张程宾，陈永平，吴苏晨，邓梓龙，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：
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