一种基于半导体减薄工艺后产品追溯方法技术

技术编号:46430905 阅读:6 留言:0更新日期:2025-09-19 20:36
本发明专利技术涉及合金涂层技术领域,公开了一种基于半导体减薄工艺后产品追溯方法,以下步骤:在晶圆进入减薄工艺之前,采用激光打标机作为标识生成设备,对每一片晶初始标识符;运用研磨机对晶圆进行机械研磨将晶圆减薄至最终厚度;为经过减薄工艺处理后的晶圆,通过哈希算法生成一个新的串接标识符markid;将新生成的markid实时更新到数据库中的制程履历表mes_ret_lot中。通过采用PostgreSQL14版本数据库,借助SQL语句在1秒内完成数据更新操作,依据markid快速检索和整合制程履历,可以快速检索和整合制程履历,缩短了分析时间,使得追溯过程更加高效快捷的效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及合金涂层,具体为一种基于半导体减薄工艺后产品追溯方法


技术介绍

1、半导体是一种导电性能介于导体和绝缘体之间的材料,其导电能力可通过掺杂、光照、温度变化等外部因素进行调节,具有热敏性、光敏性等特性,为了满足芯片小型化和高性能的要求,使其能够适应更紧凑的封装结构,提高集成度,故而将半导体进行减薄工艺处理,半导体芯片生产制造既精密又高度自动化,特别是当下国产电动车市场蓬勃发展,对高质量ic产品要求极高,半导体企业若想进入车规级电子市场,高效稳定的过程质量控制以及全流程可追溯系统必不可少。

2、但是传统的半导体在加工时,在减薄前后晶圆id会发生变化,使得分析人员需要手动查找和匹配多个id来尝试串接制程履历,增加了复杂性。


技术实现思路

1、针对现有技术的不足,本专利技术提供了一种基于半导体减薄工艺后产品追溯方法,解决了使得分析人员需要手动查找和匹配多个id来尝试串接制程履历,增加了复杂性的问题。

2、为实现以上目的,本专利技术通过以下技术方案予以实现:一种基于半导体减薄工艺后本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于半导体减薄工艺后产品追溯方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种基于半导体减薄工艺后产品追溯方法,其特征在于,所述晶圆的标识符为字母与数字组合的20位编码,其中前8位代表生产批次,中间6位代表晶圆序号,后6位为随机校验码。

3.根据权利要求1所述的一种基于半导体减薄工艺后产品追溯方法,其特征在于,所述研磨机的研磨盘转速设定为350-450转/分钟,研磨压力控制在3-4帕斯卡,研磨时间为15-25分钟。

4.根据权利要求1所述的一种基于半导体减薄工艺后产品追溯方法,其特征在于,所述哈希算法为SHA-256,以晶圆的初始标...

【技术特征摘要】

1.一种基于半导体减薄工艺后产品追溯方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种基于半导体减薄工艺后产品追溯方法,其特征在于,所述晶圆的标识符为字母与数字组合的20位编码,其中前8位代表生产批次,中间6位代表晶圆序号,后6位为随机校验码。

3.根据权利要求1所述的一种基于半导体减薄工艺后产品追溯方法,其特征在于,所述研磨机的研磨盘转速设定为350-450转/分钟,研磨压力控制在3-4帕斯卡,研磨时间为15-25分钟。

4.根据权利要求1所述的一种基于半导体减薄工艺后产品追溯方法,其特征在于,所述哈希算法为sha-256,以晶圆的初始标识符、机械研磨的研磨盘转速、研磨压力、研磨时间的参数以及处理时间戳作为输入,输出一个32位的十六进制字符串作为markid。

5.根据权利要求1所述的一种基于半导体减薄工艺后产品追溯方法,其特征在于,所述数据库采用postgresql14版本,借助sql语句进行数据更新操作,更新操作需在1秒内完成,所述预设规则判断包括晶圆厚度,经预设规则判断后,若不需要保留,则后续通过markid进行自动追溯,若需要保留,则系统自动关联双重标识,将原始标识和markid存储在关联表dual_identifier_mapping中,建立两者的映射关系。

6.根据权利要求1所述的一种基于半导体减薄工艺后产品追溯方法,其特征在于,所述晶圆的相关信息包括12位数字编码的lot_id、10位数字编码的wafer_id、t...

【专利技术属性】
技术研发人员:胡志宏辛琳李好
申请(专利权)人:江苏道达智能科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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