具有逆变器功能和可调触发电压的器件制造技术

本公开涉及具有逆变器功能和可调触发电压的器件。具有逆变器功能和可调触发电压的器件包括串联地连接的PFET和NFET。FET是多栅极的，至少一个FET是阈值电压(VT)可编程FET。在一些实施例中，两个FET都是双栅极的(即，具有两个栅极)，其中，两个栅极中的至少一个栅极是可编程的(即，被配置用于VT可编程性)。在这些实施例中，该器件分别包括连接到FET的主栅极的输入节点和连接到FET的VT可编程副栅极的附加节点。或者，该器件分别包括连接到FET的副栅极的输入节点和连接到FET的VT可编程主栅极的附加节点。或者，该器件包括连接到FET的主栅极的输入节点和连接到FET的副栅极的另一输入节点，其中，主栅极和/或副栅极是可编程的。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及逆变器和具有逆变器功能的类似器件。

技术介绍

1、逆变器或具有逆变器功能的器件是这样的器件：该器件被配置为当输入节点处的输入电压从第一逻辑值切换到第二逻辑值时，输出节点处的输出电压从第二逻辑值切换到第一逻辑值，反之亦然。常规逆变器包括串联地连接在正电压轨(例如，在正电源电压(vdd)处)和接地轨(例如，在0.0伏(v)处)之间的p型场效应晶体管(pfet)和n型场效应晶体管(nfet)。该器件具有连接到pfet和nfet的栅极的输入节点以及位于pfet和nfet的漏极区之间的互连处的输出节点。在操作中，当输入电压从低电压电平上升到至少触发电压(也称为触发阈值或转换电压)时，输出电压下降到地电位。随后，当输入电压从高电压电平下降到低于阈值触发电压时，输出电压上升到vdd。在常规逆变器中，触发电压通常处于某个固定电平(即，不可调)。

技术实现思路

1、本文公开了具有逆变器功能和可调触发电压的器件的实施例。在所公开的实施例中，该器件可以包括通过互连串联地连接的第一晶体管(例如，p沟道场效应晶体管(pfet本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种器件，包括：

2.根据权利要求1所述的器件，

3.根据权利要求1所述的器件，

4.根据权利要求3所述的器件，

5.根据权利要求4所述的器件，其中，所述第一晶体管的所述第一副栅极和所述第二晶体管的所述第二副栅极是可编程的。

6.根据权利要求4所述的器件，其中，所述第一晶体管的所述第一主栅极和所述第一副栅极以及所述第二晶体管的所述第二主栅极和所述第二副栅极是可编程的。

7.根据权利要求4所述的器件，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管是铁电场效应晶体管。

8.根据权利要求4所述的器件，其中，所述第一晶...

【技术特征摘要】

1.一种器件，包括：

2.根据权利要求1所述的器件，

3.根据权利要求1所述的器件，

4.根据权利要求3所述的器件，

5.根据权利要求4所述的器件，其中，所述第一晶体管的所述第一副栅极和所述第二晶体管的所述第二副栅极是可编程的。

6.根据权利要求4所述的器件，其中，所述第一晶体管的所述第一主栅极和所述第一副栅极以及所述第二晶体管的所述第二主栅极和所述第二副栅极是可编程的。

7.根据权利要求4所述的器件，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管是铁电场效应晶体管。

8.根据权利要求4所述的器件，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管是绝缘体上半导体结构。

9.一种器件，包括：

10.根据权利要求9所述的器件，

11.根据权利要求9所述的器件，还包括：

12.根据权利要求9所述的器件，其中，所述第一晶体管的所述第一主栅极和所述第二晶体管的所述第二主栅极是可编程的。

13.根据权利要求9所述的器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·M·克莱迈尔，S·邓克尔，H·穆拉斯曼诺维奇，赵智兴，
申请(专利权)人：格芯德累斯顿第一模数有限责任及两合公司，
类型：发明
国别省市：