【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电磁屏蔽材料制备，具体涉及一种多孔结构电磁屏蔽复合膜及其制备方法。
技术介绍
1、传统的聚合物复合材料需要高负载填料以获得高导电性和有效的em屏蔽性能，然而，高负载填料会导致高成本、低加工性和差的机械性能。
2、目前，提升复合膜材料的电磁屏蔽性能主要是通过调控填料和结构设计。电磁屏蔽膜材料要具备优异的电磁屏蔽性能往往需要较高的填料添加量，但添加量过高往往会影响膜材料的力学性能，导致拉伸性能变差。所以，在保证低介质填充量的条件下，通过工艺调控来改变复合膜内部的结构，可以很大程度增加对电磁波的衰减能力。一般的复合膜结构主要是以双层结构、三明治结构及多层结构等层叠结构，这种结构虽能保证复合膜的电磁屏蔽效果，同时增加复合膜一定的拉伸性能，但厚度的增加会导致复合膜的柔韧性能下降，从而是其应用范围受限。
技术实现思路
1、鉴于
技术介绍
中存在的技术问题，本申请提供了一种多孔结构电磁屏蔽复合膜及其制备方法，旨在解决现有电磁屏蔽复合膜的电磁屏蔽效果和力学性能难以兼顾的问题。
【技术保护点】
1.一种多孔结构电磁屏蔽复合膜的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：
2.根据权利要求1所述的多孔结构电磁屏蔽复合膜的制备方法，其特征在于，步骤S4中，所述热处理包括：用两块铜板分别置于所述EVOH/CNTs/AgNWs复合膜的上下两侧，在55~65℃条件下放置22~26h。
3.根据权利要求2所述的芳多孔结构电磁屏蔽复合膜的制备方法，其特征在于，所述铜板的重量为50g。
4.根据权利要求1所述的多孔结构电磁屏蔽复合膜的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述EVOH/CNTs/AgNWs纳米纤维悬浮液中碳纳米管和银纳米线的总浓度为2...
【技术特征摘要】
1.一种多孔结构电磁屏蔽复合膜的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：
2.根据权利要求1所述的多孔结构电磁屏蔽复合膜的制备方法，其特征在于，步骤s4中，所述热处理包括：用两块铜板分别置于所述evoh/cnts/agnws复合膜的上下两侧，在55~65℃条件下放置22~26h。
3.根据权利要求2所述的芳多孔结构电磁屏蔽复合膜的制备方法，其特征在于，所述铜板的重量为50g。
4.根据权利要求1所述的多孔结构电磁屏蔽复合膜的制备方法，其特征在于，步骤s2中，所述evoh/cnts/agnws纳米纤维悬浮液中碳纳米管和银纳米线的总浓度为2.7~7.4wt%。
5.根据权利要求1所述的多孔结构电磁屏蔽复合膜的制备方法，其特征在于，步骤s2中，所述碳纳米管分散液的浓度为3wt%，所述银纳米线分散液的浓度为4.4wt%；所述碳纳米管分散液银纳米线分散液的用量比为1：1.3。
6.根据权利要求1所述的多孔结构电磁屏蔽复合膜的制备方法，其特征在于，步骤...
【专利技术属性】
技术研发人员：王栋，杨晨光，陈灿，郭佳宁，严坤，王雯雯，
申请(专利权)人：武汉纺织大学，
类型：发明
国别省市：
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