【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及量子点发光二极管领域，尤其涉及一种基于量子点界面层的发光二极管及其制备方法。
技术介绍
1、量子点发光二极管(qled)因其具有高发光亮度、长寿命和广色域等优势，在照明和高分辨显示等领域受到广泛关注，具有巨大的发展潜力。
2、然而在器件运行过程中，非辐射复合所产生的焦耳热导致qled的外量子效率和寿命等发生衰减，严重限制qled产业化发展。
3、目前采用的解决手段主要有两种：使用能级匹配的电荷传输层和高导热的蓝宝石玻璃。然而，前者极易导致器件制备工艺复杂和稳定性降低等问题，后者则价格昂贵，不利于商业化发展。
4、因此，如何有效抑制焦耳热问题以提升qled的效率和寿命是当前亟待解决的关键技术难题。
技术实现思路
1、有鉴于现有技术的上述缺陷，本专利技术所要解决的技术问题是现有技术中的量子点发光二极管存在的焦耳热问题及qled效率低和寿命短的问题。本专利技术提供了一种基于量子点界面层的发光二极管及其制备方法，有效提高发光二极管的发光效率和亮度，...
【技术保护点】
1.一种基于量子点界面层的发光二极管，其特征在于，包括自下而上依次设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、界面修饰层、量子点发光层、电子阻挡层、电子传输层和金属电极；所述量子点发光层与所述界面修饰层紧邻，使得所述界面修饰层吸收由发光层非辐射俄歇复合产生的焦耳热。
2.一种基于量子点界面层的发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
3.如权利要求2所述的一种基于量子点界面层的发光二极管的制备方法，其特征在于，将含有ITO透明电极的玻璃衬底进行清洗后烘干，制备成阳极，具体是将含有ITO透明电极的玻璃衬底分别用清洁剂、去离子水、丙酮和乙醇连续超声...
【技术特征摘要】
1.一种基于量子点界面层的发光二极管，其特征在于，包括自下而上依次设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、界面修饰层、量子点发光层、电子阻挡层、电子传输层和金属电极；所述量子点发光层与所述界面修饰层紧邻，使得所述界面修饰层吸收由发光层非辐射俄歇复合产生的焦耳热。
2.一种基于量子点界面层的发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
3.如权利要求2所述的一种基于量子点界面层的发光二极管的制备方法，其特征在于，将含有ito透明电极的玻璃衬底进行清洗后烘干，制备成阳极，具体是将含有ito透明电极的玻璃衬底分别用清洁剂、去离子水、丙酮和乙醇连续超声清洗处理各15分钟，之后将玻璃衬底烘干。
4.如权利要求2所述的一种基于量子点界面层的发光二极管的制备方法，其特征在于，将清洗烘干后的玻璃衬底的ito透明电极一侧制备pedot:pss薄膜，作为空穴注入层，具体包括在经过清洁处理的玻璃衬底的ito透明电极一侧表面上旋涂一pedot:pss溶液，在旋涂完成后以150℃的温度进行退火，得到pedot:pss薄膜，作为空穴注入层。
5.如权利要求2所述的一种基于量子点界面层的发光二极管的制备方法，其特征在于，在空穴注入层上涂抹制备pf8cz薄膜，作为空穴传输层，具体包括在制备的pedot:pss薄膜上旋涂溶解在氯苯中的9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-alt-(9-(2-ethylhexyl)-carbazole-3,6-diyl)(pf8cz)溶液，在旋涂完成后以120℃的温度进行退火20min，得到pf8c...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。