电容芯片结构制造技术

本公开实施例提供了一种电容芯片结构，该电容芯片结构包括：玻璃衬底；第一导电层，第一导电层位于玻璃衬底的第一表面；电容介质层，电容介质层位于第一导电层远离玻璃衬底的一侧；电容介质层还覆盖第一导电层的侧壁，电容介质层设置有第一通孔；第二导电层，第二导电层位于电容介质层远离第一导电层的一侧；第二导电层的边界相对于第一导电层的边界向电容芯片结构的中心内缩；绝缘层，绝缘层位于第二导电层远离电容介质层的一侧；绝缘层设置有贯穿绝缘层的第二通孔和第三通孔；第一电气连接结构和第二导电层电连接；第二电气连接结构和第一导电层电连接。

【技术实现步骤摘要】

本公开的实施例涉及半导体，尤其涉及一种电容芯片结构。

技术介绍

1、片式多层陶瓷电容器(multi-layer ceramic capacitors，mlcc)是由印好电极(内电极)的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷的芯片，再在芯片的两端封上金属层(外电极)，从而形成一个类似独石的结构体，故也叫独石电容器。

2、目前片式多层陶瓷电容器中的电容芯片结构的衬底多采用硅衬底，硅衬底的支撑强度不够大，还需要对电容芯片结构进行二次封装之后才能使用。

技术实现思路

1、本公开提供了一种电容芯片结构，以提高电容芯片结构中衬底的支撑强度，降低封装难度。

2、本公开提供了一种电容芯片结构，包括：

3、玻璃衬底，包括相对设置的第一表面和第二表面；

4、第一导电层，所述第一导电层位于所述玻璃衬底的第一表面；

5、电容介质层，所述电容介质层位于所述第一导电层远离所述玻璃衬底的一侧；所述电容介质层还覆盖所述第一导电层的侧壁，所述电容介质层设置有第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电容芯片结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的电容芯片结构，其特征在于，还包括第三导电层，所述第三导电层和所述第二导电层同层设置；

3.根据权利要求1所述的电容芯片结构，其特征在于，所述绝缘层包括钝化层；

4.根据权利要求3所述的电容芯片结构，其特征在于，所述绝缘层还包括缓冲层，所述缓冲层位于所述钝化层远离所述第二导电层的一侧，所述缓冲层还覆盖所述第二通孔以及所述第三通孔内所述钝化层的侧壁。

5.根据权利要求2所述的电容芯片结构，其特征在于，所述绝缘层包括钝化层；

6.根据权利要求5所述的电容芯片结构，其特征...

【技术特征摘要】

1.一种电容芯片结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的电容芯片结构，其特征在于，还包括第三导电层，所述第三导电层和所述第二导电层同层设置；

3.根据权利要求1所述的电容芯片结构，其特征在于，所述绝缘层包括钝化层；

4.根据权利要求3所述的电容芯片结构，其特征在于，所述绝缘层还包括缓冲层，所述缓冲层位于所述钝化层远离所述第二导电层的一侧，所述缓冲层还覆盖所述第二通孔以及所述第三通孔内所述钝化层的侧壁。

5.根据权利要求2所述的电容芯片结构，其特征在于，所述绝缘层包括钝化层；

6.根据权利要求5所述的电容芯片结构，其特征在于，所述绝缘层还包括缓冲层，所述缓冲层位于所述钝化层远离所述第二导电层和所述第三导电层的一侧，所述缓冲层还覆盖所述第二通孔以及所述第三通孔内所述钝化层的侧壁。

7.根据权利要求1所述的电容芯片结构，其特征在于，所述电容芯片结构在平行于第一表面的截面图形包括两个相对设置的第一长边和两个相对设置的第一短边，所述第一长边和第一短边垂直设置，所述第一长边的长度大于所述第一短边的长度；

8.根据权利要求7所述的电容芯片结构，其特征在于，所述第一电气连接结构包括第四导电层和第一焊盘；

9.根据权利要求8所述的电容芯片结构，其特征在于，所述第一焊盘在所述第一表面的截面图形包括两个相对设置的第二长边和两个相对设置的第二短边，所述第二长边和所述第一短边平行设置，所述第二短边和所述第一长边平行设置，所述第二长边的长度...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁园，
申请(专利权)人：象朵创芯微电子苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：