层叠体、半导体元件及MEMS元件制造技术

在现有的绝缘层即SiO2中存在接合强度低的课题。另外，由于微小异物被夹入到接合界面所产生的空隙，存在电极的导通不良或所获得的层叠体的可靠性降低的课题。一种层叠体，是将在基板主体的同一面包括露出的(A‑1)金属电极及露出的(B‑1)树脂层的第一基板、与在基板主体的同一面包括露出的(A‑2)金属电极及露出的(B‑2)树脂层、或者露出的(A‑2)金属电极及露出的(C)无机绝缘层的第二基板以至少一部分的所述(A‑1)金属电极与所述(A‑2)金属电极及至少一部分的所述(B‑1)树脂层与所述(B‑2)树脂层、或者至少一部分的所述(A‑1)金属电极与所述(A‑2)金属电极及至少一部分的所述(B‑1)树脂层与(C)无机绝缘层分别直接接合的方式贴合而成，所述层叠体中，所述(B‑1)树脂层及所述(B‑2)树脂层中的至少一个包含包括选自由羰基、羟基、环氧烷基、具有硅氧烷键的基及含氮杂环所组成的群组中的一种以上的树脂。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种层叠体、半导体元件及mems元件。更详细来说，涉及一种通过利用金属电极及绝缘膜的直接接合来安装元件的技术。

技术介绍

1、之前，在将半导体或微机电系统(micro electro mechanical systems，mems)的芯片与外部电性连接的情况下，形成金或铜等的突起状电极(凸块)，经由焊料而进行与连接基板等的连接。为了保持电极间的绝缘，确立了底部填充等方法。近年来，在通过芯片的高集成化而使与外部连接的电极数大幅增加且电极密度提高的过程中，不形成凸块而将电极与绝缘膜形成为同一平面状，通过直接接合而与外部连接的混合键合技术备受瞩目(专利文献1)。由此，能够实现电极间距为10μm以下的高密度安装。另外，混合键合有将晶片彼此接合的晶片到晶片(wafer-to-wafer，w2w)、以及将芯片与晶片接合的芯片到晶片(chip-to-wafer，c2w)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本专利特表2006-517344号公报

5、非专利文献

6、非专利文献1：y本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种层叠体，是将在基板主体的同一面包括露出的(A-1)金属电极及露出的(B-1)树脂层的第一基板、

2.根据权利要求1所述的层叠体，其中，所述第二基板在基板主体的同一面包括露出的(A-2)金属电极及露出的(B-2)树脂层。

3.根据权利要求1或2所述的层叠体，其中，所述环氧烷基为式(1)所表示的基团。

4.根据权利要求1或2所述的层叠体，其中，所述具有硅氧烷键的基团为式(2)所表示的基团。

5.根据权利要求3或4所述的层叠体，其中

6.根据权利要求1或2所述的层叠体，其特征在于，所述(B-1)树脂层及所述(B-2)树脂层中的...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种层叠体，是将在基板主体的同一面包括露出的(a-1)金属电极及露出的(b-1)树脂层的第一基板、

2.根据权利要求1所述的层叠体，其中，所述第二基板在基板主体的同一面包括露出的(a-2)金属电极及露出的(b-2)树脂层。

3.根据权利要求1或2所述的层叠体，其中，所述环氧烷基为式(1)所表示的基团。

4.根据权利要求1或2所述的层叠体，其中，所述具有硅氧烷键的基团为式(2)所表示的基团。

5.根据权利要求3或4所述的层叠体，其中

6.根据权利要求1或2所述的层叠体，其特征在于，所述(b-1)树脂层及所述(b-2)树脂层中的至少一个中包含的树脂含有两种以上的式(9)所表示的结构。

7.根据权利要求1或2所述的层叠体，其中，所述(b-1)树脂层及所述(b-2)树脂层中的至少一个的50℃到150℃的温度范围下的热膨胀系数为10ppm/k以上且40ppm/k以下。

8.根据权利要求1或2所述的层叠体，其中，所述(b-1)树脂...

【专利技术属性】
技术研发人员：荒木齐，藤原健典，庄司优，
申请(专利权)人：东丽株式会社，
类型：发明
国别省市：