一种基于HTCC工艺的高密度大功率馈电网络结构制造技术

技术编号:46288001 阅读:6 留言:0更新日期:2025-09-02 21:18
本发明专利技术公开了一种基于HTCC工艺的高密度大功率馈电网络系统,属于天线馈电技术领域,所述馈电网络系统包括:包括:自上而下堆叠且高温陶瓷共烧一体化的第一金属接地板、移相线层、第二金属接地板、功率合成网络层、预留金属空白层和第三金属接地板;所述功率合成网络层包括均为等幅、90°电桥且级联的第一电桥、第二电桥和第三电桥,所述第二电桥和第三电桥的输入端口分别带状线连接所述第一电桥的直通端口和耦合端口,所述第二电桥和第三电桥的直通端口和耦合端口分别连接所述移相线层的四个内嵌焊盘,所述第一电桥、第二电桥和第三电桥的隔离端口连接宇航级隔离电阻。本发明专利技术能够解决现有技术难以实现小型化且当前馈电网络耐受功率小的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于天线馈电,具体涉及一种基于htcc工艺的高密度大功率馈电网络系统。


技术介绍

1、馈电网络系统作为无线通信、雷达及天线系统的核心组件,承担着射频信号功率分配、相位调控及阻抗匹配等关键功能,其性能直接影响天线辐射效率、波束指向精度及系统整体可靠性。目前,如图2所示,馈电网络多采用功率合成器与移相线组合架构,传统移相线色散效应明显,依赖路径长度调节相位,受材料色散与波导色散影响,宽带场景下相位偏移非线性严重,导致波束指向偏差与信号失真,功率合成器大多采用威尔金森式作为射频电路模型,依赖隔离电阻实现端口匹配,但电阻热耗散能力受限,耐受功率不足,难以满足大功率需求;此外如图1所示,天线旋转馈电常用串联馈电网络形式,但因其串联馈电网络自身隔离度差,小型化使用时天线的输入端口相互干扰,严重影响天线性能指标,因此难以实现大功率小型化的馈电网络系统。

2、另外在制造工艺层面,现有技术常用低温共烧陶瓷(ltcc,low-temperature co-fired ceramic)加工馈电网络系统,其工艺加工复杂,且ltcc基板易碎,导热率低,散热仍是本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于HTCC工艺的高密度大功率馈电网络系统,其特征在于,包括:自上而下堆叠且高温陶瓷共烧一体化的第一金属接地板、移相线层、第二金属接地板、功率合成网络层、预留金属空白层和第三金属接地板;

2.根据权利要求1所述的一种基于HTCC工艺的高密度大功率馈电网络系统,其特征在于,所述第一金属接地板通过第一金属化屏蔽孔连接所述第二金属接地板,所述第一金属接地板通过第二金属化屏蔽孔连接所述第三金属接地板,所述第二金属化屏蔽孔贯穿所述第二金属接地板,所述第二金属接地板通过第三金属化屏蔽孔连接所述第三金属接地板。

3.根据权利要求1所述的一种基于HTCC工艺的高密度大功率...

【技术特征摘要】

1.一种基于htcc工艺的高密度大功率馈电网络系统,其特征在于,包括:自上而下堆叠且高温陶瓷共烧一体化的第一金属接地板、移相线层、第二金属接地板、功率合成网络层、预留金属空白层和第三金属接地板;

2.根据权利要求1所述的一种基于htcc工艺的高密度大功率馈电网络系统,其特征在于,所述第一金属接地板通过第一金属化屏蔽孔连接所述第二金属接地板,所述第一金属接地板通过第二金属化屏蔽孔连接所述第三金属接地板,所述第二金属化屏蔽孔贯穿所述第二金属接地板,所述第二金属接地板通过第三金属化屏蔽孔连接所述第三金属接地板。

3.根据权利要求1所述的一种基于htcc工艺的高密度大功率馈电网络系统,其特征在于,所述移相线层通过第一金属化射频孔连接功率合成网络层,所述移相线层通过盲孔连接第一金属接地板,所述内嵌焊盘内嵌在所述盲孔中并位于所述高温陶瓷共烧一体化形成的陶瓷板内,所述功率合成网络层通过盲孔连接所述第三金属接地板。

4.根据权利要求3所述的一种基于htcc工艺的高密度大功率馈电网络系统,其特征在于,所述第一金属化射频孔贯穿所述第二金属接地板且未连接所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨博雷杰王文娟虢宏昌王佳敏
申请(专利权)人:中航富士达科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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