硅基和砷化镓基射频芯片的三维异质集成结构及方法技术

本发明专利技术提供了一种硅基和砷化镓基射频芯片的三维异质集成结构及方法，所述结构包括：印刷电路板，具有第一焊盘区和环绕第一焊盘区的第二焊盘区；导电柱，由第二焊盘区电性引出且凸出于印刷电路板表面；砷化镓基射频功率芯片及对砷化镓基射频功率芯片扇出封装的第一封装体，第一封装体设于若干导电柱内且将砷化镓基射频功率芯片扇出引出与第一焊盘区连接，第一封装体的高度不超过导电柱的高度；硅基射频功率芯片及对硅基射频功率芯片扇出封装的第二封装体，第二封装体位于第一封装体远离印刷电路板一侧，第二封装体将硅基射频功率芯片扇出引出与导电柱连接。在本申请可提高三维异质集成硅基和砷化镓基射频芯片的集成度及性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别涉及一种硅基和砷化镓基射频芯片的三维异质集成结构及方法。

技术介绍

1、在射频芯片应用中，硅基射频芯片和砷化镓基射频芯片因各自的技术特性广泛应用于不同场景。其中，硅基射频芯片，由于其成本低、工艺成熟、稳定性好，常用于无线终端通信、wifi等低功率、窄带的应用场景。砷化镓基射频芯片在高频性能和功率密度方面表现出色，特别适合高功率、宽带的应用。然而，部分电子设备由于涉及上述多种不同的场景而需要集成上述两种不同材质的射频芯片。

2、在相关技术中，异质射频芯片的集成工艺技术一般采用二维平面的方式进行集成，例如采用晶圆粘贴(例如键合)技术将不同材料的半导体器件集成在同一个芯片上的类似技术，即将硅基射频芯片和砷化镓基射频芯片在pcb板上按二维平面的方式进行布局和连接，其制造工艺相对简单，但难以实现高度集成和复杂功能，难以满足集成尺寸日益小型化的需求，同时也影响两者的性能。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种硅基和砷化镓基射频芯片的三维异质集成结构及方法，用于实现硅基和砷化本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种硅基和砷化镓基射频芯片的三维异质集成结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的硅基和砷化镓基射频芯片的三维异质集成结构，其特征在于，所述第一封装体包括第一塑封层及第一重布线层，所述第一塑封层中设有第一容置槽朝向所述印刷电路板，用于装载所述砷化镓基射频功率芯片，所述第一重布线层位于所述第一塑封层靠近所述印刷电路板一侧用于将所述砷化镓基射频功率芯片扇出引出。

3.根据权利要求1所述的硅基和砷化镓基射频芯片的三维异质集成结构，其特征在于，所述第二封装体包括第二塑封层及第二重布线层，所述第二塑封层中设有第二容置槽朝向所述印刷电路板，用于装载所述硅基射频功率...

【技术特征摘要】

1.一种硅基和砷化镓基射频芯片的三维异质集成结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的硅基和砷化镓基射频芯片的三维异质集成结构，其特征在于，所述第一封装体包括第一塑封层及第一重布线层，所述第一塑封层中设有第一容置槽朝向所述印刷电路板，用于装载所述砷化镓基射频功率芯片，所述第一重布线层位于所述第一塑封层靠近所述印刷电路板一侧用于将所述砷化镓基射频功率芯片扇出引出。

3.根据权利要求1所述的硅基和砷化镓基射频芯片的三维异质集成结构，其特征在于，所述第二封装体包括第二塑封层及第二重布线层，所述第二塑封层中设有第二容置槽朝向所述印刷电路板，用于装载所述硅基射频功率芯片，所述第二重布线层位于所述第二塑封层靠近所述印刷电路板一侧用于将所述硅基射频功率芯片扇出引出。

4.根据权利要求1所述的硅基和砷化镓基射频芯片的三维异质集成结构，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘子玉，楼其村，张卫，孙清清，陈琳，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：