一种铬硅薄膜电阻结构及制备方法技术

本发明专利技术属于硅微电子技术领域，公开了一种铬硅薄膜电阻结构及制备方法，包括：基底硅片；形成于所述基底硅片表面的二氧化硅绝缘层；依次层叠在所述二氧化硅绝缘层上的铬硅电阻层和金属阻挡层，所述铬硅电阻层具有预定电阻图案；覆盖所述金属阻挡层的金属连线层，所述金属连线层形成金属互连结构；依次覆盖在所述金属连线层上的二氧化硅钝化层和氮化硅钝化层，其中，所述铬硅电阻层正上方的区域仅保留所述二氧化硅钝化层，所述氮化硅钝化层在对应所述铬硅电阻层的区域形成开口结构。本发明专利技术的目的在于提升电阻阻值稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于硅微电子，具体涉及一种铬硅薄膜电阻结构及制备方法。

技术介绍

1、高精度和高稳定铬硅薄膜电阻(high precision and high stability of crsithin film resistor)是一种高精度电阻器件，广泛应用于高精度模拟电路的场合。铬硅薄膜电阻的制造主要涵盖薄膜淀积、薄膜光刻、薄膜刻蚀和合金处理等多个关键步骤。为了满足高精度和高稳定性的要求，合理的结构设计能够有效优化电阻的电学性能，减少外界因素对电阻阻值的影响，从而提高电阻的整体性能。

2、在薄膜电阻的老炼环节发现，当薄膜电阻在一定温度下施加一定电应力使用一段时间后，其阻值会出现不稳定的现象。这种阻值的不稳定不仅会影响电阻自身的性能，还可能对整个电路系统的稳定性造成影响，甚至导致电路无法正常工作。在薄膜电阻结构和版图设计的传统方法中，往往没有对薄膜电阻上方的氮化硅介质做专门的去除处理。这就导致电阻在后续的老炼过程中容易出现阻值偏差，当偏差较大时，甚至会导致对应电路指标超差，严重影响电路系统的性能。

>技术实现思路...

【技术保护点】

1.一种铬硅薄膜电阻结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种铬硅薄膜电阻结构，其特征在于，所述开口结构的边界相对于所述铬硅电阻层(3)边界外扩10微米～20微米。

3.根据权利要求1所述的一种铬硅薄膜电阻结构，其特征在于，所述二氧化硅钝化层(6)的厚度为5000埃～7000埃。

4.根据权利要求1所述的一种铬硅薄膜电阻结构，其特征在于，所述氮化硅钝化层(7)的厚度为2000埃～3000埃。

5.根据权利要求1所述的一种铬硅薄膜电阻结构，其特征在于，所述金属阻挡层(4)为钨钛薄膜且厚度为600埃～900埃。</p>

6.根据...

【技术特征摘要】

1.一种铬硅薄膜电阻结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种铬硅薄膜电阻结构，其特征在于，所述开口结构的边界相对于所述铬硅电阻层(3)边界外扩10微米～20微米。

3.根据权利要求1所述的一种铬硅薄膜电阻结构，其特征在于，所述二氧化硅钝化层(6)的厚度为5000埃～7000埃。

4.根据权利要求1所述的一种铬硅薄膜电阻结构，其特征在于，所述氮化硅钝化层(7)的厚度为2000埃～3000埃。

5.根据权利要求1所述的一种铬硅薄膜电阻结构，其特征在于，所述金属阻挡层(4)为钨钛薄膜且厚度为600埃～900埃。

6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：折宇，陈宝忠，刘存生，史泽堃，尤路，赵沫沫，王成熙，姚晓军，
申请(专利权)人：西安微电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：