【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体涉及一种处理工艺热点的opc优化方法。
技术介绍
1、光学临近效应(optical proximity effect，ope)导致硅片上的光刻图形与掩模版上图形的偏差问题越来越严重，光学临近修正(optical proximity correction，opc)主要作用是减小光学临近效应所造成的误差和影响，使得转移到硅片上的图形与预期图形基本符合。opc是通过全局仿真以提高图形解析度的技术，对原始版图的处理速度较快，加之opc算法原理特点，导致原始版图中容易产生工艺热点的区域的优化精确度稍差。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本申请的目的在于提供一种处理工艺热点的opc优化方法，用于解决现有技术中opc对工艺热点区域的优化精确度差的问题。
2、为实现上述目的及其它相关目的，本申请提供一种处理工艺热点的opc优化方法，包括：
3、步骤一，提供原始版图，对该原始版图进行opc修正；
4、步骤二，对经过opc修正后的版图进行...
【技术保护点】
1.一种处理工艺热点的OPC优化方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过基于模型的OPC实施所述OPC修正。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过下式进行迭代计算获取所述工艺热点区域图形的最佳成像高度：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述步骤二中，设置量测文件记录所述工艺热点区域目标图形和仿真图形的坐标数据，设定所述误差区间和反馈步长。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过所述OPC验证发现所述二维版图存在工艺热点，则重复实施步骤二和步骤三直至OP
...【技术特征摘要】
1.一种处理工艺热点的opc优化方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过基于模型的opc实施所述opc修正。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过下式进行迭代计算获取所述工艺热点区域图形的最佳成像高度：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述步骤二中，设置量测文件记录所述工艺热点...
【专利技术属性】
技术研发人员：夏文彬，金晓亮，江志兴，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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