【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体制造，更具体地说，是涉及一种基片处理设备及基片处理系统。
技术介绍
1、晶圆干法刻蚀是一种利用等离子体或反应气体在真空环境下对晶圆表面材料进行刻蚀的技术，干法刻蚀的具体过程包括将相关气体在真空环境中等离子体化，形成有效的离子态刻蚀反应物。这些离子态物质与晶圆表面发生物理和化学反应，形成气态产物，从而将目标材料去除。干法刻蚀具有良好的方向性和刻蚀剖面可控性，能够形成各种沟槽和深孔等构造，保证细微图形转移的保真性。
2、现有晶圆干法刻蚀工艺中，晶圆在反应腔中完成刻蚀后，不可避免的会在表面吸附或者残留一些反应气体，这些残留的反应气体会随着晶圆一起传回晶圆盒中。晶圆干法刻蚀完成被传回到晶圆盒后，残留在晶圆上的反应气体会慢慢挥发，挥发的反应气体在晶圆盒内和其他未进行刻蚀的晶圆表面反应，会造成晶圆缺陷，而且这种缺陷会呈现累积的效应，导致晶圆盒内最后一片待加工的晶圆缺陷最严重。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种基片处理设备及基片处理系统，该基片处理设备能够减少或者...
【技术保护点】
1.一种基片处理设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基片处理设备，其特征在于，还包括加热装置，所述加热装置用于所述容置腔的加热。
3.根据权利要求2所述的基片处理设备，其特征在于，所述容置腔内设置有用于放置基片的基座，所述加热装置包括加热盘，所述加热盘环绕所述基座设置，所述加热盘设置在所述基座的承载面的下方。
4.根据权利要求3所述的基片处理设备，其特征在于，所述容置腔内设置有气体浓度检测器，所述气体浓度检测器用于检测所述清洗气体的浓度。
5.根据权利要求4所述的基片处理设备，其特征在于，还包括控制器，所述...
【技术特征摘要】
1.一种基片处理设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基片处理设备，其特征在于，还包括加热装置，所述加热装置用于所述容置腔的加热。
3.根据权利要求2所述的基片处理设备，其特征在于，所述容置腔内设置有用于放置基片的基座，所述加热装置包括加热盘，所述加热盘环绕所述基座设置，所述加热盘设置在所述基座的承载面的下方。
4.根据权利要求3所述的基片处理设备，其特征在于，所述容置腔内设置有气体浓度检测器，所述气体浓度检测器用于检测所述清洗气体的浓度。
5.根据权利要求4所述的基片处理设备，其特征在于，还包括控制器，所述控制器与所述抽气装置、所述充气装置、所述气体浓度检测器和所述加热装置电连接，所述控制器用于在所述气体浓度检测器检测到的所述清洗气体的浓度达到预设值后控制所述充气装...
【专利技术属性】
技术研发人员：王浩浩，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。