【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体清洗领域，具体是一种半导体清洗方法及系统。
技术介绍
1、在半导体制造过程中，其表面不可避免地会沾染各类污染物，包括颗粒物、有机物、金属离子和氧化物等。这些污染物会严重影响后续工艺的进行，导致集成电路出现短路、开路等故障，进而损害芯片的电路功能，降低产品的性能和可靠性。
2、现有技术通常采用湿法清洗或干法清洗，然而，湿法清洗可能存在化学药液使用量大、环境污染严重、对某些复杂污染物清洗效果不佳等问题。干法清洗，可能存在可清洗污染物比较单一的问题。故现有清洗方法难以在保证清洗质量的同时提高清洗效率，特别是在处理污染物叠加区域时，由于污染物类型、面积和厚度的变化，其清洗难度更大。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一；为此，本专利技术提出了一种半导体清洗方法及系统，用于解决现有技术难以对半导体上污染物叠加区域进行清洗的技术问题。
2、为实现上述目的，本专利技术的第一方面提供了一种半导体清洗方法，包括：
3、采...
【技术保护点】
1.一种半导体清洗方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种半导体清洗方法，其特征在于，所述基于多个污染物图像，获取待清洗半导体上污染物叠加区域，包括：
3.根据权利要求2所述的一种半导体清洗方法，其特征在于，所述污染物叠加区域的厚度的获取方式，包括：
4.根据权利要求1所述的一种半导体清洗方法，其特征在于，所述清洗液通过喷洒器喷洒至污染物叠加区域表面，且喷洒器的喷嘴距污染物叠加区域的垂直距离由污染物叠加区域的面积和厚度确定。
5.根据权利要求4所述的一种半导体清洗方法，其特征在于，喷洒器的喷嘴距污染物叠加区...
【技术特征摘要】
1.一种半导体清洗方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种半导体清洗方法，其特征在于，所述基于多个污染物图像，获取待清洗半导体上污染物叠加区域，包括：
3.根据权利要求2所述的一种半导体清洗方法，其特征在于，所述污染物叠加区域的厚度的获取方式，包括：
4.根据权利要求1所述的一种半导体清洗方法，其特征在于，所述清洗液通过喷洒器喷洒至污染物叠加区域表面，且喷洒器的喷嘴距污染物叠加区域的垂直距离由污染物叠加区域的面积和厚度确定。
5.根据权利要求4所述的一种半导体清洗方法，其特征在于，喷洒器的喷嘴距污染物叠加区域的所述垂直距离的获取方式如下，包括：
6.根据权利要求5所述的一种半导体清洗方法，其特征在于，所述子污染区域的面积的获取方式，包括：
7.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：李光明，
申请(专利权)人：安徽人和智能制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。