脉冲源的多路复用制造技术

本发明专利技术涉及一种通过输出孔（５）生成输出辐射的设备（１０），所述设备（１０）包括多个辐射源（１１－１４）和用于时间复用所述辐射源（１１－１４）的时间复用器（１５）。每个辐射源包括等离子体（２１１），在等离子体（２１１）中生成基本辐射并且根据波长选择性地偏移该基本辐射的射线。这种源具有小尺寸和小的光学扩展量。该设备例如可包括一百个或更多个辐射源。每个辐射源可用于生成动态修改的辐射图样（２４，２５，２６），或者用作取代故障源的备用源，或者用作仅当输出辐射的功率小于最小阈值时才生成辐射的辅助源。本发明专利技术还涉及由该设备执行的方法，以及包括该设备的光刻装置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种通过输出孔生成输出辐射的方法。 本专利技术还涉及一种实现这种方法的设备以及包括所述设备的光刻装置。
技术介绍
生成脉冲辐射的方法和设备是已知的。这些方法和设备例如用于在光敏晶片的光 刻范围内生成用于光链的辐射。这种光链包括 -脉冲源，生成期望波长范围内的辐射； _光学系统，从脉冲源接收辐射并且对其进行处理(例如，通过使其瞄准和/或使 其会聚)；-掩模，从光学系统接收辐射，仅允许透射图样前方的辐射射线通过，辐射的其余 部分被掩模阻止；以及-晶片，接收未被掩模阻止的射线。 暴露于辐射的晶片表面被光刻胶或光敏产品所覆盖。到达晶片的射线与该产品相 互作用，并且在晶片表面上形成与掩模的透射图样对应的图样。 用于EUV光刻的脉冲源的期望平均功率为100W量级，例如为150W，但是功率越大 越有利。功率越大，效果越好。大功率允许处理具有较大的吞吐量。 EUV光刻源的脉冲辐射的期望频率为10kHz量级，例如为7kHz，但是频率越大越有 利。频率越大，效果越好。高频率允许在扫描晶片时到达晶片的射线的粒度具有统计均匀 性。 文献US 6，861，656公开了在极紫外和软X-射线光刻系统中使用的高光度 EUV-源设备，这种设备能够生成具有大功率和高频率的输出辐射。这种设备包括多个脉冲 EUV-光源。每个脉冲源发射光脉冲，每个光脉冲被相关联的平面镜反射。如US 6， 861， 656 的图7a和7b所示，这些脉冲源被时分复用，以获得基本连续的合成光发射。然而，根据US 6， 861， 656的时分复用难以实现，因为它需要同时改变平面镜的角位。 本专利技术的目的是提出一种比现有技术更容易实现的用于生成具有大功率和/或 高频率的输出辐射的方法，以及一种实现这种方法的设备。
技术实现思路
本专利技术的一方面涉及一种通过输出孔生成输出辐射的方法，所述方法包括 -由多个辐射源(11-14,20)生成脉冲辐射，每个源被设置为分别 (i)在对应的等离子体(211)内生成对应的脉冲基本辐射， 其波长包括对应的期望范围； (ii)将其对应的基本辐射的射线引导至所述输出孔(5)上；-对于每个源，在对应的基本辐射所通过且位于对应的等离子体(211)内的对应 控制区域内分布射线的折射率，以根据波长选择性地偏移所述对应的基本辐射的射线；以及-时间复用所述辐射源，以在所述输出孔(5)处获得所述输出辐射。 时间复用通常意味着通过时间复用器在时间上对辐射的生成之间进行协调。 所述方法可进一步包括检测所述辐射源之一的故障，以及通过取代故障源的备用源生成基本辐射。 所述方法可进一步包括测量所述输出辐射的功率，并根据对所述输出辐射的功率 的测量控制时间复用。所述脉冲辐射生成可包括由工作源相继地生成基本辐射；以及在所 述工作源生成的输出辐射小于最小阈值的情况下由至少一个辅助源生成至少一个基本辐 射。 所述多个基本辐射可同时生成以创建期望的辐射图样。所述方法可进一步包括随 着时间对期望图样进行动态修改。对于所述辐射源中的至少一个，对期望图样的动态修改 可包括对将所述辐射源生成的射线反射至所述输出孔的至少一个反射镜的角位进行修改。 所述输出辐射的平均频率可大于每个辐射源的最大频率。每个源可具有不同的最 大频率。 本专利技术的另一方面涉及一种通过输出孔生成输出辐射的设备，所述设备包括 -多个辐射源，每个源包括用于生成对应的脉冲基本辐射的装置，所述对应的脉冲 基本辐射的波长包括对应的期望范围，每个源被设置为将其对应的基本辐射的射线引导至所述输出孔上，每个源包括对应的等离子体和偏移装置，在所述对应的等离子体中生成对 应的基本辐射，所述偏移装置包括对对应的基本辐射所通过的且位于对应的等离子体内的 对应控制区域内的射线的折射率的受控分布进行设置的装置，以根据波长选择性地偏移所 述对应的基本辐射的射线；以及-时间复用器，时间复用所述辐射源，以在所述输出孔处获得所述输出辐射。 根据本专利技术的设备可进一步包括对所述脉冲源中的至少一个的故障进行检测的 装置，所述多个辐射源包括备用组，所述备用组包括被设置为取代至少一个故障源来生成 辐射的至少一个备用源。备用组优选地包括多个备用源，每个备用源被设置为取代故障源 之一来生成辐射。 根据本专利技术的设备可进一步包括对所述输出辐射的功率进行测量的装置，以及根据对所述输出辐射的功测量来控制所述时间复用器的装置。测量的输出辐射的功率可以是时间平均功率。对于每个辐射源，测量输出辐射功率的装置可包括对所述源产生的脉冲辐射的功率进行测量的装置。所述多个辐射源包括-工作组，包括被设置为一个接一个地生成辐射的源；以及-辅助源，包括被设置为在所述工作组生成的输出辐射的功率小于最小阈值的情 况下生成辐射的至少一个辅助源(辅助组优选地包括多个辅助源)。 时间复用器可被设置为通过多于一个的源控制同时生成辐射以创建期望的辐射 图样。根据本专利技术的设备可进一步包括动态修改辐射图样的装置。对于辐射源中的至少一 个(优选地对于多个辐射源或对于每个辐射源)，修改装置可包括将所述源生成的射线反 射至输出孔的至少一个反射镜。 然而，所述辐射源中的至少一个(优选地，多个辐射源或每个辐射源)可被设置为 生成基本辐射，该基本辐射的射线到达输出孔并且不是从所述辐射源反射至所述输出孔。 每个源通过对应的源孔生成对应的脉冲基本辐射，多个源孔聚集在表面上，所述表面优选地为平面或球形部分，聚集在所述表面上的每个孔沿着第一方向邻近于聚集在所述表面上的至少一个其它孔并且沿着不同于所述第一方向的第二方向邻近于聚集在所述表面上的至少一个其它孔。 每个辐射源可具有对应的基本辐射的最大生成频率，时间复用器被设置为将比所述源的所有最大频率更大的平均频率提供给输出辐射。 对于至少一个辐射源(优选地为多个辐射源或每个辐射源)，根据本专利技术的设备可进一步包括位于所述源的控制区域的下游侧的对应的过滤窗，所述过滤窗-允许由所述源生成且在所述源的期望波长范围内的射线通过；以及-阻止由所述源生成且不在所述源的期望波长范围内的光学通过。 所述过滤窗对于所述源中的几个(优选地为全部辐射源)来说可基本为同一个过滤窗，并且优选地为所述输出孔。 对于一个、某些或所有源，设置折射率的受控分布的装置可包括对所述控制区域内的电子密度进行控制的装置。 至少一个期望范围(优选地为每个)可在从0纳米到100纳米的波长间隔内，优选地在极UV光谱或软X-射线光谱内。 本专利技术的又一方面涉及一种包括根据本专利技术的生成设备的光刻装置。 本专利技术的又一方面涉及一种通过根据本专利技术的光刻装置生产电子元件尤其是半导体元件的方法。附图说明 基于对非限制性的实施方式和附图的详细描述，本专利技术的其它优点和特性将显而易见，在附图中 _图1图示了根据现有技术的辐射源；-图2和3分别是根据本专利技术的光刻装置的第一实现模式的第一和第二示意-图4和5分别是根据本专利技术的光刻装置的第二实现模式的第一和第二示意-图6是包含在图2至5的光刻装置中的辐射源之一的示意 _图7图示了图2和3的光刻装置的脉冲源的孔的排列；-图8至11图示了通过由图2至5的光刻装置的多个脉冲源同时生成辐射而获得的不同类型的辐射图样；以及-图12图示了对辐射图样的示意性修改。具体实施例方式图1图示了根本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种通过输出孔（５）生成输出辐射的方法，所述方法包括：－由多个辐射源（１１－１４，２０）生成脉冲辐射，每个源被设置为分别（ｉ）在对应的等离子体（２１１）内生成对应的脉冲基本辐射，其波长包括对应的期望范围；（ｉｉ）将其对应的基本辐射的射线引导至所述输出孔（５）上；－对于每个源，在对应的基本辐射所通过且位于对应的等离子体（２１１）内的对应控制区域内分布射线的折射率，以根据波长选择性地偏移所述对应的基本辐射的射线；以及－时间复用所述辐射源，以在所述输出孔（５）处获得所述输出辐射。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：彼得丘，
申请(专利权)人：内诺UV公司，
类型：发明
国别省市：FR[法国]