【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及高介电常数材料，具体涉及一种电子级氧化铪及其制备方法和应用。
技术介绍
1、电子级超高纯氧化铪主要用于半导体芯片行业，特别是高k介电常数材料。在高端芯片晶体管中作为栅极介质层，信息技术的迅猛推进促使半导体行业对高性能材料的渴求与日俱增，电子级超高纯氧化铪产品已在5g通信器件、高端光学镜头、光纤激光器、先进存储芯片等领域实现进口替代。超高纯氧化铪材料在存储芯片中的应用将持续攀升，人工智能的蓬勃发展推动了存储行业的迅猛前行，进一步推高了氧化铪的市场需求，因此有必要推动高纯氧化锆/氧化铪/氧氯化铪材料行业高质量发展，提升产品质量一致性和可靠性。高纯电子级氧化铪作为半导体制造中原子层沉积(ald)及化学气相沉积(cvd)工艺的核心前驱体材料，其纯度控制与微观形貌直接影响高端芯片栅极氧化层及存储器件介电薄膜的制备质量，是3dnand闪存、功率半导体等先进制程的关键材料支撑。
2、电子级的纯度要求很高，达到5n(99.999％)，甚至更高，电子级氧化铪(hfo2)是一种关键的高端电子材料，主要用于半导体器件(如高介电栅极介...
【技术保护点】
1.一种电子级氧化铪的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种电子级氧化铪的制备方法，其特征在于，粗氧化铪和石墨粉均粉碎至300～500目。
3.根据权利要求1所述的一种电子级氧化铪的制备方法，其特征在于，所述粗氧化铪与石墨粉的质量比为(15～20)：100。
4.根据权利要求1所述的一种电子级氧化铪的制备方法，其特征在于，所述熔盐提纯方法为：将粗四氯化铪熔于低熔点熔盐中，加热熔盐使四氯化铪挥发。
5.根据权利要求1所述的一种电子级氧化铪的制备方法，其特征在于，所述氢化提纯方法为：向粗四氯化铪中...
【技术特征摘要】
1.一种电子级氧化铪的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种电子级氧化铪的制备方法，其特征在于，粗氧化铪和石墨粉均粉碎至300～500目。
3.根据权利要求1所述的一种电子级氧化铪的制备方法，其特征在于，所述粗氧化铪与石墨粉的质量比为(15～20)：100。
4.根据权利要求1所述的一种电子级氧化铪的制备方法，其特征在于，所述熔盐提纯方法为：将粗四氯化铪熔于低熔点熔盐中，加热熔盐使四氯化铪挥发。
5.根据权利要求1所述的一种电子级氧化铪的制备方法，其特征在于，所述氢化提纯方法为：向粗四氯化铪中通入氢气，通过氢气还原金属氧化物杂质予以分离。
6...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄绍荣，胡小冬，胡冬燕，李帅，
申请(专利权)人：四川晶赫新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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