用于闪存器件制造中的工艺方法技术

本申请公开了一种用于闪存器件制造中的工艺方法，包括：在衬底上形成耦合氧化物层，该耦合氧化物层的厚度为50埃至150埃；在耦合氧化物层上形成浮栅多晶硅层，浮栅多晶硅层用于制备闪存的浮栅；在浮栅多晶硅层上形成保护氧化物层，保护氧化物层用于在后续的湿法刻蚀工艺中保护浮栅多晶硅层；在保护氧化物层上形成氮化物层；通过湿法刻蚀工艺去除氮化物层。本申请通过在闪存器件制造过程中，在形成浮栅多晶硅层后，在浮栅多晶硅上形成保护氧化物层，从而能够在后续的湿法刻蚀工艺中保护浮栅多晶硅层，避免浮栅多晶硅层产生缺陷和损伤，提高了浮栅多晶硅层的均一性，改善了器件的字线、控制栅对浮栅的耦合性，改善了器件的漏电流现象。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体器件及集成电路，尤其涉及一种用于闪存器件制造中的工艺方法。

技术介绍

1、在非易失性存储器(non-volatile memory，nvm)中，闪存(flash)器件由于具有低成本、低功耗、存取速度快的优点得到了广泛的应用。

2、闪存器件在工作时有写(program)、擦(erase)、读(read)三种基本操作，其中比较常用的是采用发生在浮栅(floating gate，fg)和字线(word line，wl)之间的福勒诺海(fowler nordheim，f-n)遂穿来实现浮栅中电子的擦除，而浮栅的尖端结构辅助f-n隧穿具有低电压、高电场、速度快、电流小、功耗低的优势。

3、对于闪存器件来说，形成于衬底上的耦合氧化物层(coupling oxide)，以及形成于浮栅上的氧化物层的厚度都是关键的参数。耦合氧化物层如果具有较厚的厚度利于阻止浮栅漏电(fg leakage)，且数据保存(data retention)能力较强，但是器件元胞的编程(cell program)速度较慢；而当耦合氧化物层较薄时则容易发生浮栅漏本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于闪存器件制造中的工艺方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护氧化物层的厚度为20埃至50埃。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述保护氧化物层上形成氮化物层，包括：

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述氧化物层上形成氮化物层，包括：

5.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述在衬底上形成耦合氧化物层，包括：

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一氧化物层的厚度为150埃至450埃。

【技术特征摘要】

1.一种用于闪存器件制造中的工艺方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护氧化物层的厚度为20埃至50埃。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述保护氧化物层上形成氮化物层，包括：

4.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：李番番，李涛，那子玉，杨德明，张广冰，杜明锋，赵正元，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：