一种封装电路板及电路板封装方法技术

技术编号:46096042 阅读:5 留言:0更新日期:2025-08-12 18:15
本发明专利技术公开了一种封装电路板及电路板封装方法,包括依次连接的基底层、电磁屏蔽层、信号传输层、电源分配层、接地层、热膨胀缓冲层、机械支撑层、芯片互连层、硅中介层、热管理层、应力调节层和焊接层;其中,相邻结构层间通过复合连接层实现界面耦合,所述复合连接层包含选自粘接、烧结、键合中的至少一种连接方式;所述电源分配层与接地层之间形成三维垂直互连结构。本发明专利技术通过锥形导电通孔与Ta/TiN扩散阻挡层的配合使用,实现了高频信号的低损耗传输,锥形导电通孔的深宽比优化了电流分布,降低了趋肤效应的影响,使10GHz以上频段的插入损耗减少至0.2dB/mm以下,解决了现有圆柱形通孔在高频应用中阻抗失配和信号反射的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子封装,具体为一种封装电路板及电路板封装方法


技术介绍

1、随着电子设备向小型化、多功能化和高性能化方向发展,封装电路板作为芯片与系统级互连的核心载体,其集成密度和可靠性要求日益提高。在5g通信、数据中心、自动驾驶等领域,电路板需同时满足高频信号低损耗传输、高效散热、抗电磁干扰以及长期机械稳定性等需求。传统封装结构通常采用多层堆叠设计,通过金属通孔(如tsv)实现层间互连,并依赖有机基板或陶瓷基板提供机械支撑。然而,随着芯片功耗和频率的持续提升,现有封装技术在信号/电源完整性协同优化、热-机械应力匹配等方面面临严峻挑战。

2、现有封装电路板中,电源分配层与接地层之间的垂直互连结构多采用圆柱形导电通孔(如常规tsv),其深宽比通常限制在5:1以下。这种结构在高频信号传输时易因趋肤效应导致电流分布不均,进而引起阻抗失配和信号反射,尤其在10ghz以上频段会显著增加插入损耗(典型值>0.5db/mm)。此外,圆柱形通孔的孔壁扩散阻挡层(如ta/tin)在高温工艺中易因热膨胀系数差异产生微裂纹,降低互连结构的长期可靠性。

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【技术保护点】

1.一种封装电路板,其特征在于:包括

2.根据权利要求1所述的一种封装电路板,其特征在于:所述基底层(100)与电磁屏蔽层(200)之间的复合连接层包含厚度为10~20μm的热固性介质层,以及分散在热固性介质层中的电磁损耗颗粒,其中,电磁损耗颗粒的粒径分布为D50=1~5μm,且为铁氧体或碳纳米管中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的一种封装电路板,其特征在于:所述三维垂直互连结构包括贯穿电源分配层(400)和接地层(500)的锥形导电通孔,所述锥形导电通孔贯穿电源分配层(400)和接地层(500),并在两层之间形成电连接,所述锥形导电通孔的深宽比为5:1至20...

【技术特征摘要】

1.一种封装电路板,其特征在于:包括

2.根据权利要求1所述的一种封装电路板,其特征在于:所述基底层(100)与电磁屏蔽层(200)之间的复合连接层包含厚度为10~20μm的热固性介质层,以及分散在热固性介质层中的电磁损耗颗粒,其中,电磁损耗颗粒的粒径分布为d50=1~5μm,且为铁氧体或碳纳米管中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的一种封装电路板,其特征在于:所述三维垂直互连结构包括贯穿电源分配层(400)和接地层(500)的锥形导电通孔,所述锥形导电通孔贯穿电源分配层(400)和接地层(500),并在两层之间形成电连接,所述锥形导电通孔的深宽比为5:1至20:1,孔壁设有ta/tin扩散阻挡层。

4.根据权利要求1所述的一种封装电路板,其特征在于:所述动态匹配界面包括在热管理层(1000)上表面设置的热变形补偿凹槽,以及在所述应力调节层(1100)下表面设有与凹槽匹配的凸起结构。

5.一种如权利要求1-4任一项所述封装电路板的电路板封装方法,其特征在于:包括以下步骤:

6.根据权利要求5所述的电路板封装方法,其特征在于:所述步骤s2中,电...

【专利技术属性】
技术研发人员:周密王浩
申请(专利权)人:苏州梓芯源半导体科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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