【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体生产，尤其是指一种中空柔性真空吸附环及晶圆吸附装置。
技术介绍
1、晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。目前半导体的体积越来越小，使得对于晶圆的规格要求也越来越高。但由于晶圆非常薄，采用传统的真空吸附装置进行晶圆的拾取，往往容易导致晶圆的碎裂，不利于生产的顺利进行。
技术实现思路
1、本技术针对现有技术的问题提供一种中空柔性真空吸附环及晶圆吸附装置，能够在拾取晶圆时，降低晶圆碎裂现象的发生。
2、为了解决上述技术问题，本技术采用如下技术方案：
3、本技术提供的一种中空柔性真空吸附环，包括由柔性材料制成的本体，所述本体为环形结构，本体的中部设置有贯穿的圆形通孔，本体以圆形通孔的圆心呈环形阵列分布有多个吸附孔，吸附孔用于外接真空源并通过真空吸附晶圆。
4、进一步的，其中一个吸附孔的内径大于其他吸附孔的内径，内径大的吸附孔的两侧内壁分别设置有限位件，限位件的底部设置有斜面；
5、内径大的吸附孔的两侧分别设置有副吸附
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【技术保护点】
1.一种中空柔性真空吸附环，其特征在于：包括由柔性材料制成的本体，所述本体为环形结构，本体的中部设置有贯穿的圆形通孔，本体以圆形通孔的圆心呈环形阵列分布有多个吸附孔，吸附孔用于外接真空源并通过真空吸附晶圆。
2.根据权利要求1所述的中空柔性真空吸附环，其特征在于：其中一个吸附孔的内径大于其他吸附孔的内径，内径大的吸附孔的两侧内壁分别设置有限位件，限位件的底部设置有斜面；
3.根据权利要求2所述的中空柔性真空吸附环，其特征在于：内径大的吸附孔的数量为两个，两个内径大的吸附孔以圆形通孔的其中一直径为为对称轴对称设置；每个内径大的吸附孔的两侧分别设有
<...【技术特征摘要】
1.一种中空柔性真空吸附环，其特征在于：包括由柔性材料制成的本体，所述本体为环形结构，本体的中部设置有贯穿的圆形通孔，本体以圆形通孔的圆心呈环形阵列分布有多个吸附孔，吸附孔用于外接真空源并通过真空吸附晶圆。
2.根据权利要求1所述的中空柔性真空吸附环，其特征在于：其中一个吸附孔的内径大于其他吸附孔的内径，内径大的吸附孔的两侧内壁分别设置有限位件，限位件的底部设置有斜面；
3.根据权利要求2所述的中空柔性真空吸附环，其特征在于：内径大的吸附孔的数量为两个，两个内径大的吸附孔以圆形通孔的其中一直径为为对称轴对称设置；每个内径大的吸附孔的两侧分别设有副吸附孔。
4.根据权利要求2所述的中空柔性真空吸附环，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：张泽贤，陈祖禾，
申请(专利权)人：东莞东湾半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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