【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆加工，具体为一种晶圆激光加工装置及其使用方法。
技术介绍
1、晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅，高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。国内晶圆生产线以 8英寸和12英寸为主。
2、现有的晶圆在加工时，需要对封装后的晶圆塑封体的v口位置，利用激光进行修整，切割出需要的尺寸并且进行检测修整后的尺寸，然后对塑封体外圆进行修正。修正后使晶圆与塑封体外圆同心，并且需要对外边进行去毛刺，然而现有的设备在进行去毛刺和修正外圆是分开两次进行的，存在加工工序繁琐，加工成本较高的问题，为此特提供一种晶圆激光加工装置及其使用方法。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种晶圆激光加工装置及其使用方法，解决了现有的晶圆在加工时，需要对塑封体外圆进行修正。修正后使晶圆与塑封体外圆同心，并且需要对外边进行去毛刺，然而现有的设备在进行去毛刺和修正外圆是分开两次进行...
【技术保护点】
1.一种晶圆激光加工装置，包括晶圆上料中心（11）和晶圆加工中心（12），其特征在于，所述晶圆上料中心（11）和晶圆加工中心（12）通过拼装组成晶圆加工机（1）；
2.根据权利要求1所述的一种晶圆激光加工装置，其特征在于：所述晶圆上料中心（11）的外部安装有用于控制前开式晶圆传送盒（3）、机械手（5）和预对齐机构（6）的工业电脑（2），所述晶圆加工中心（12）的侧面安装有用于控制切割组件（7）和清洗组件（8）的集成控制面板（4）。
3.根据权利要求2所述的一种晶圆激光加工装置，其特征在于：所述机械手（5）包括固定设置在晶圆上料中心（11）内底部...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆激光加工装置，包括晶圆上料中心（11）和晶圆加工中心（12），其特征在于，所述晶圆上料中心（11）和晶圆加工中心（12）通过拼装组成晶圆加工机（1）；
2.根据权利要求1所述的一种晶圆激光加工装置，其特征在于：所述晶圆上料中心（11）的外部安装有用于控制前开式晶圆传送盒（3）、机械手（5）和预对齐机构（6）的工业电脑（2），所述晶圆加工中心（12）的侧面安装有用于控制切割组件（7）和清洗组件（8）的集成控制面板（4）。
3.根据权利要求2所述的一种晶圆激光加工装置，其特征在于：所述机械手（5）包括固定设置在晶圆上料中心（11）内底部的直线电机（51），所述直线电机（51）上安装有第一升降气缸（52），所述第一升降气缸（52）的顶部安装有两组机械臂（54），两组所述机械臂（54）上均安装有吸盘手（53），所述晶圆上料中心（11）的内部安装有定位架（13），所述第一升降气缸（52）沿着所述定位架（13）内部滑动，所述预对齐机构（6）安装于所述定位架（13）一端。
4.根据权利要求3所述的一种晶圆激光加工装置，其特征在于：所述预对齐机构（6）包括校准座（61）和固定嵌设在校准座（61）上的固定吸盘（62），所述校准座（61）的顶部一侧安装有寻边器（63），所述寻边器（63）的一侧固定设置有除尘风机（64）。
5.根据权利要求2所述的一种晶圆激光加工装置，其特征在于：所述晶圆加工中心（12）中安装有密封隔板（14），所述切割组件（7）和清洗组件（8）分别通过密封隔板（14）进行密封，所述密封隔板（14）的外壁安装有电动门（16），所述机械手（5）通过穿过两组电动门（16）进出切割组件（7）和清洗组件（8）。
6.根据权利要求5所述的一种晶圆激光加工装置，其特征在于：所述切割组件（7）还包括固定设置在晶圆加工中心（12）中的安装支架（74），所述载料台（71）设置在安装支架（74）底部，所述安装支架（74）的顶端安装有升降气缸（79），所述激光透镜（72）固定...
【专利技术属性】
技术研发人员：张晓峰，
申请(专利权)人：首镭激光半导体科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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