【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别涉及一种减少膜面熏蚀的真空干燥设备及方法。
技术介绍
1、随着钙钛矿产线化的不断发展，越来越多的mw级钙钛矿产线逐渐落地，mw级钙钛矿产线的尺寸一般在600*1200mm2这个范围。更有头部企业已经开启了gw级产线，钙钛矿的尺寸也达到了1200*2400mm2的超大规模。钙钛矿尺寸的不断增大，对钙钛矿的涂布、干燥和结晶都带来了巨大的挑战。
2、在制备钙钛矿吸收层的一个工艺环节需要对钙钛矿湿膜进行均匀干燥，一般采用真空干燥设备(vacuum concentration drying，简称vcd)进行。目前主流的钙钛矿真空干燥设备设计包括有顶抽模式、底抽模式以以及侧抽模式等类型，其各自有自身的优缺点。对于顶抽模式的设备，在平米级(以1.2m*0.6m为例)大面积钙钛矿薄膜的干燥上，钙钛矿湿膜中的溶剂会在短时间内大量挥发出来，进而导致大量气态溶剂无法在第一时间被全面抽干，进而会在钙钛矿膜面上留下溶剂熏蚀的痕迹，影响钙钛矿的干燥效果。而钙钛矿湿膜的干燥过程还和后面晶粒生长、退火结晶均密切相关，现有的vcd单腔室...
【技术保护点】
1.一种减少膜面熏蚀的真空干燥设备，其特征在于，包括工艺腔、真空系统和可开合的溶剂隔离装置；
2.根据权利要求1所述的一种减少膜面熏蚀的真空干燥设备，其特征在于，所述溶剂隔离装置中包括可运动的隔离板，所述隔离板可运动至所述待干燥产品的上方，将所述工艺腔分隔为互不连通的上腔室和下腔室。
3.根据权利要求2所述的一种减少膜面熏蚀的真空干燥设备，其特征在于，所述隔离板可平移运动至所述待干燥产品的上方，将所述工艺腔分隔为所述上腔室和所述下腔室。
4.根据权利要求3所述的一种减少膜面熏蚀的真空干燥设备，其特征在于，所述溶剂隔离装置包括隔离板室...
【技术特征摘要】
1.一种减少膜面熏蚀的真空干燥设备，其特征在于，包括工艺腔、真空系统和可开合的溶剂隔离装置；
2.根据权利要求1所述的一种减少膜面熏蚀的真空干燥设备，其特征在于，所述溶剂隔离装置中包括可运动的隔离板，所述隔离板可运动至所述待干燥产品的上方，将所述工艺腔分隔为互不连通的上腔室和下腔室。
3.根据权利要求2所述的一种减少膜面熏蚀的真空干燥设备，其特征在于，所述隔离板可平移运动至所述待干燥产品的上方，将所述工艺腔分隔为所述上腔室和所述下腔室。
4.根据权利要求3所述的一种减少膜面熏蚀的真空干燥设备，其特征在于，所述溶剂隔离装置包括隔离板室、驱动机构和所述隔离板；
5.根据权利要求4所述的一种减少膜面熏蚀的真空干燥设备，其特征在于，所述溶剂隔离装置为插板阀，所述插板阀包括阀体、驱动机构和阀板；
6.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：仁烁光能苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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