【技术实现步骤摘要】
本申请涉及太阳能领域，特别是涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件。
技术介绍
1、异质结太阳能电池（heterojunction with intrinsic thin-layer，hjt）是一种较为高效的晶硅太阳能电池，因其工艺制程简洁、较低的工艺温度、较高的光电转换效率、易薄片化等优点已成为目前主要的高效电池发展方向，并已得到了大规模的发展。
2、现有异质结太阳能电池由于在硅衬底和掺杂微晶硅层之间插入一层钝化层（或本征钝化层），以钝化硅衬底表面的缺陷，抑制载流子复合，进而有效提高开路电压和填充因子，并提高电池的效率。但是现有的异质结太阳能电池会存在较为严重的uv（ultraviolet，uv）衰减问题，影响户外正常使用，uv衰减的原理是紫外光（uv光）透过掺杂微晶硅层到达钝化层，对钝化层的si-h键造成破坏，形成悬挂键，从而使得异质结太阳能电池的钝化性能受损。因而，如何改善异质结太阳能电池的uv衰减，同时又能保证异质结太阳能电池的短路电流和转换效率是本领域亟待解决的问题。
技术实现思路b>
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【技术保护点】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：N型半导体衬底、第一钝化层、第二钝化层、N型掺杂微晶硅层、P型掺杂微晶硅层、第一透明导电层、第二透明导电层、第一电极和第二电极，所述N型半导体衬底包括相对的受光面和背光面；
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述多个子掺杂层还包括：第一过渡层，位于所述第一钝化层和所述目标子掺杂微晶硅层之间，所述第一过渡层的材料包括掺杂有N型元素的微晶硅。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一过渡层的晶化率大于所述目标子掺杂微晶硅层的晶化率；所述第一过渡层的厚度范围为3nm~6nm。
...【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：n型半导体衬底、第一钝化层、第二钝化层、n型掺杂微晶硅层、p型掺杂微晶硅层、第一透明导电层、第二透明导电层、第一电极和第二电极，所述n型半导体衬底包括相对的受光面和背光面；
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述多个子掺杂层还包括：第一过渡层，位于所述第一钝化层和所述目标子掺杂微晶硅层之间，所述第一过渡层的材料包括掺杂有n型元素的微晶硅。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一过渡层的晶化率大于所述目标子掺杂微晶硅层的晶化率；所述第一过渡层的厚度范围为3nm~6nm。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述多个子掺杂层还包括：接触层，位于所述目标子掺杂微晶硅层和所述第一透明导电层之间，所述接触层的材料包括未掺杂氧元素但掺杂有n型元素的微晶硅。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述目标子掺杂微晶硅层的晶化率大于所述接触层的晶化率。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述接触层的厚度范围为2 nm ~5nm。
7.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述目标子掺杂微晶硅层的材料包括掺杂有氧元素和n型元素的微晶硅，所述第一过渡层中n型元素的浓度小于所述目标子掺杂微晶硅层中n型元素的浓度，所述目标子掺杂微晶硅层中n型元素的浓度小于所述接触层中n型元素的浓度。
8.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括：n型掺杂非晶硅层，位于所述接触层和所述第一透明导电层之间，所述n型掺杂非晶硅层的厚度范围为1 ~2nm。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括：初始过渡层，位于所述n型掺杂微晶硅层和所述第一钝化层之间，所述初始过渡层的材料包括未掺杂n型元素的微晶硅；所述初始过渡层的厚度范围0.2nm~1nm。
10.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括：种子层，位于初始过渡层和所述第一钝化层之间，所述种子层的材料包括未掺杂氧元素和n型元素的微晶硅；所述种子层的厚度范围为0.1nm~0.5nm。
11.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
12.根据权利要求11所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，形成所述目标子掺杂微晶硅层时的工艺气体包括sih4、n2o、ph3和h2，启辉功率范围为10000w～15000w，sih4、n2o、ph3和h2的流量比范围为1:0.5:4:200~1:2:7:250，启辉时间范围为25s~55s。
13.根据权利要求11或12所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在形成所述n型掺杂微晶硅层之前，还包括：在所述第一钝化层的远离所述n型半导体衬底的表面形成种子层，所述种子层的材料包括未掺杂氧元素和n型元素的微晶硅。
14.根据权利要求13所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，形成所述种子层时采用的工艺气体包括sih4和h2，工艺气体压力范围为4torr～6torr，启辉功率范围为6000w～8000w，sih4和h2的流量比范围为1:250~1:350，启辉时间范围为2s ~5s。
15.根据权利要求13所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，还包括：
16.根据权利要求15所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，形成所述n型掺杂微晶硅层包括：
17.根据权利要求16所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，形成所述第一过...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘旭，王永洁，
申请(专利权)人：通威太阳能成都有限公司，
类型：发明
国别省市：
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