本发明专利技术提出一种功率器件击穿电压参数测试系统与方法，其中，控制模块分别与高压电源模块、电流调节模块、数模转换模块以及采集卡连接，数模转换模块与电流调节模块连接；高压电源模块的正端连接电流调节模块的第一端，高压电源模块的负端连接待测IGBT的发射极，电流调节模块的第二端连接待测IGBT的集电极；采集卡与数据采集模块连接，数据采集模块还与待测IGBT的集电极和发射极连接，采集卡还用于连接上位机。通过改变电流设定条件，可以对应调节待测IGBT的供电回路上的电流，从而在高压且设定电流值的环境下完成击穿电压测试，满足在各种测试场景下对IGBT的击穿电压参数进行测试的需求。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片测试领域，具体而言，涉及一种功率器件击穿电压参数测试系统与方法。
技术介绍
1、在当今新能源盛行的时代，高铁、新能源汽车等设备已成为日常生活与工作中不可或缺的助手，为生活带来了前所未有的便捷。而这些设备的广泛运用，功率半导体器件起着关键作用。绝缘栅双极型晶体管（igbt）作为新型功率半导体器件的主流器件，集mos和三极管两者的优点于一体，具有输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、速度快及工作频率高等特点。
2、然而，尽管igbt有一系列的优势，随着市场的蓬勃发展，igbt市场也面临着许多质量和安全性的挑战。在高温、高湿、高盐雾、高海拔等极端环境下，可能对igbt模块的性能产生影响，甚至导致模块的失效。随着电力系统的电压等级不断提高，igbt模块需要承受更高的电压。然而，提高igbt的耐压性能，则会牺牲它的开关性能。
3、为了能够确保igbt的正常工作和安全性，需要在各种测试场景下对igbt的击穿电压参数进行测试，如何满足该测试需求，成为了本领域技术人员所关注的难题之一。
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【技术保护点】
1.一种功率器件击穿电压参数测试系统，其特征在于，所述测试系统包括：控制模块、高压电源模块、电流调节模块、数模转换模块、数据采集模块以及采集卡；所述控制模块分别与所述高压电源模块、所述电流调节模块、所述数模转换模块以及所述采集卡连接，所述数模转换模块与所述电流调节模块连接；
2.如权利要求1所述的功率器件击穿电压参数测试系统，其特征在于，在测试启动时，所述控制模块用于向所述高压电源模块发送开关控制信号，以控制所述高压电源模块切换为工作状态，并向所述数模转换模块发送与电流设定条件匹配的设定电流值；
3.如权利要求2所述的功率器件击穿电压参数测试系统，其特征在于，所述...
【技术特征摘要】
1.一种功率器件击穿电压参数测试系统，其特征在于，所述测试系统包括：控制模块、高压电源模块、电流调节模块、数模转换模块、数据采集模块以及采集卡；所述控制模块分别与所述高压电源模块、所述电流调节模块、所述数模转换模块以及所述采集卡连接，所述数模转换模块与所述电流调节模块连接；
2.如权利要求1所述的功率器件击穿电压参数测试系统，其特征在于，在测试启动时，所述控制模块用于向所述高压电源模块发送开关控制信号，以控制所述高压电源模块切换为工作状态，并向所述数模转换模块发送与电流设定条件匹配的设定电流值；
3.如权利要求2所述的功率器件击穿电压参数测试系统，其特征在于，所述电流调节模块包括限流保护单元、档位选择单元以及电流预设单元；
4.如权利要求3所述的功率器件击穿电压参数测试系统，其特征在于，所述限...
【专利技术属性】
技术研发人员：王思亮，庞洲，胡强，蒋兴莉，田绍据，张甜甜，何磊，
申请(专利权)人：成都森未科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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