【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及等离子体切割保护液技术，尤其涉及一种涂布工艺通用型等离子体切割保护液、其制备方法及应用。
技术介绍
1、等离子体（plasma）切割是在真空下进行干式刻蚀，使晶圆芯片化（单片化）的加工技术，该技术能实现高速、高纵横比、窄切割道的芯片化。在人工智能、分立式元器件和rfid等加工领域，为了提高单位晶圆上的芯片产出数量，行业正逐步向窄切割道的技术方向发展。总体来说，plasma切割的优势日益凸显，相较于传统激光切割，plasma切割具有生产率高、加工形状多样化、洁净度高、芯片强度高等优点。
2、在plasma切割技术的应用背景下，对plasma切割保护液成膜性能以及膜层覆盖程度提出了更高要求。目前市场plasma切割保护液仅适用于传统旋涂工艺，但当面对晶圆（wafer） 表面存在高度 凸块（bump）或深沟槽结构等特殊工况时，传统旋涂工艺因液体流动特性限制，无法对高bump/沟槽形成有效保护。相比之下，超声喷涂工艺是一种利用超声波能量将液体雾化成微小液滴并均匀喷涂到wafer表面的技术，可在wafer表面形成均匀致密...
【技术保护点】
1.一种涂布工艺通用型等离子体切割保护液，其特征在于，包括重量配比如下的各组分：
2.根据权利要求1所述涂布工艺通用型等离子体切割保护液，其特征在于，所述超支化聚酯的分子量为1-2w。
3.根据权利要求1所述涂布工艺通用型等离子体切割保护液，其特征在于，所述超支化聚酯采用如下方法制备而成：
4.根据权利要求3所述涂布工艺通用型等离子体切割保护液，其特征在于，步骤S1中，所述有机酸酐为邻苯二甲酸酐、苯甲酸酐、醋酸酐、马来酸酐和丁二酸酐中的一种或多种；
5.根据权利要求3所述涂布工艺通用型等离子体切割保护液，其特征在于，步骤...
【技术特征摘要】
1.一种涂布工艺通用型等离子体切割保护液，其特征在于，包括重量配比如下的各组分：
2.根据权利要求1所述涂布工艺通用型等离子体切割保护液，其特征在于，所述超支化聚酯的分子量为1-2w。
3.根据权利要求1所述涂布工艺通用型等离子体切割保护液，其特征在于，所述超支化聚酯采用如下方法制备而成：
4.根据权利要求3所述涂布工艺通用型等离子体切割保护液，其特征在于，步骤s1中，所述有机酸酐为邻苯二甲酸酐、苯甲酸酐、醋酸酐、马来酸酐和丁二酸酐中的一种或多种；
5.根据权利要求3所述涂布工艺通用型等离子体切割保护液，其特征在于，步骤s2中，所述多元醇聚合物为聚乙二醇、聚乙烯醇、二聚丙三醇、三聚丙三醇中的一种或多种；
6.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：褚雨露，侯军，李永胜，张楠，
申请(专利权)人：浙江奥首材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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