LED显示基板和LED显示设备制造技术

本申请公开了LED显示基板和LED显示设备，该LED显示基板包括发光外延层、第一介质包层、反射层和多个反射电极，发光外延层包括第一半导体层、有源层和第二半导体层，第一半导体层形成第一主凹陷区和多个第一凸台结构；第一介质包层设于第一主凹陷区内并接触第一凸台结构侧壁，第一介质包层折射率不同于第一半导体层折射率；反射层设于第一半导体层和第二半导体层中一者背离有源层的一侧；反射电极设于第一半导体层和第二半导体层中另一者背离有源层的一侧，反射层反射率小于反射电极反射率，以形成从反射层一侧出光的谐振腔。通过上述方法，本申请能够使得LED显示基板出光更加准直，能够提高LED显示基板的发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体发光二极管，特别是涉及led显示基板和led显示设备。

技术介绍

1、led(light emitting diode，发光二极管)，是一种可以将电能转化为可见光的半导体组件，是现代被广泛应用于指示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市夜景等领域的照明光源。如今随着科技的发展，led中主要发光的发光芯片已经实现微米量级，使得led的发光芯片具有更小的尺寸，但是微缩化至微米量级的led发光芯片随着尺寸的缩小，边缘出光强度也随之增加，因此产生的尺寸效应，影响出光的准直性，也会降低系统的光学效率。

技术实现思路

1、本申请的实施例提供了led显示基板和led显示设备，能够使得led显示基本出光更加准直，提高led显示基板的发光效率。

2、第一方面，本申请实施例提供一种led显示基板，led显示基板包括发光外延层、发光外延层、反射层以及多个反射电极。

3、发光外延层包括依次层叠设置的第一半导体层、有源层以及第二半导体层，其中第一半导体层在背离有源层的一侧形成第一主凹陷区以及由第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种LED显示基板，其特征在于，所述LED显示基板包括：

2.根据权利要求1所述的LED显示基板，其特征在于，所述第一介质包层的折射率与所述第一半导体层的折射率的差值的绝对值不小于0.8。

3.根据权利要求1所述的LED显示基板，其特征在于，所述第一介质包层以沉积方式形成。

4.根据权利要求1所述的LED显示基板，其特征在于，所述第一介质包层设置成沿所述第一凸台结构的周向对所述第一凸台结构的侧壁进行全包围接触。

5.根据权利要求1所述的LED显示基板，其特征在于，所述第一凸台结构背离所述有源层一侧形成第一辅凹陷区，以将所述第一凸台结构分...

【技术特征摘要】

1.一种led显示基板，其特征在于，所述led显示基板包括：

2.根据权利要求1所述的led显示基板，其特征在于，所述第一介质包层的折射率与所述第一半导体层的折射率的差值的绝对值不小于0.8。

3.根据权利要求1所述的led显示基板，其特征在于，所述第一介质包层以沉积方式形成。

4.根据权利要求1所述的led显示基板，其特征在于，所述第一介质包层设置成沿所述第一凸台结构的周向对所述第一凸台结构的侧壁进行全包围接触。

5.根据权利要求1所述的led显示基板，其特征在于，所述第一凸台结构背离所述有源层一侧形成第一辅凹陷区，以将所述第一凸台结构分隔成多个第一子凸台结构，所述第一辅凹陷区的深度小于或等于所述第一子凸台结构处的第一半导体层的厚度，所述第一介质包层进一步设置于所述第一辅凹陷区，并分别与所述多个第一子凸台结构的侧壁接触。

6.根据权利要求5所述的led显示基板，其特征在于，所述第一介质包层设置成沿所述第一子凸台结构的周向对所述第一子凸台结构的侧壁进行全包围接触。

7.根据权利要求1所述的led显示基板，其特征在于，所述第二半导体层在背离所述有源层的一侧形成第二主凹陷区以及由所述第二主凹陷区间隔的以阵列方式排布的多个第二凸台结构，所述第二凸台结构与所述第一凸台结构对应，所述第二主凹陷区的深度小于或等于所述第二凸台结构处的第二半导体层的厚度，所述led显示基板还包括第二介质包层，所述第二介质包层设置于所述第二主凹陷区内，并接触所述第二凸台结构的...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋振宇，
申请(专利权)人：苏州秋水半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：