半导体装置、电力变换装置制造方法及图纸

一种半导体装置，具备：半导体元件，其具有主电极和信号电极；密封树脂，其密封半导体元件；导电构件，其具有突出部，突出部从与半导体元件相对的下表面突出，与主电极连接；信号端子，其具有主体部以及主体部侧面，主体部的一端经由接合材料与半导体元件的信号电极接合，另一端延伸到密封树脂的外部，与导电构件的下表面相对，主体部侧面与突出部的侧面相对；以及绝缘性热传导构件，其配置在导电构件和信号端子之间，导电构件和信号端子在导电构件的下表面和突出部之间以及主体部和主体部侧面之间的至少一方具备凹部。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种半导体装置和电力变换装置。

技术介绍

1、半导体在工作时不可避免会产生热，特别是在流过大电流的情况下，需要充分的冷却机构。在专利文献1中公开了一种半导体装置，其具备：半导体元件，其具有主电极和信号焊盘；密封体，其密封所述半导体元件；导体构件，其在所述密封体的内部与所述半导体元件的所述主电极连接，并暴露在所述密封体的表面上；信号端子，其一端在所述密封体的内部经由接合层与所述半导体元件的所述信号焊盘接合，并且其另一端从所述密封体突出；以及支撑构件，其在所述密封体的内部设置在所述导体构件上，并支撑所述信号端子，在所述信号端子上设置有沿其长度方向截面积局部减小的缩颈部，所述支撑构与从所述信号端子的所述一端到所述缩颈部的区间接触，构成所述支撑构件的材料具有绝缘性，并且热传导率比构成所述密封体的材料高。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本专利特开2020-096085号公报

技术实现思路

1、专利技术要解决的问题

2、在专利文献1所记载的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

10.一种电力变换装置，其特征在于，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

【专利技术属性】
技术研发人员：高木佑辅，金子裕二朗，
申请(专利权)人：安斯泰莫株式会社，
类型：发明
国别省市：