SiC半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的SiC半导体装置包括：第一导电型的SiC层，其包括主面，且在层叠方向具有轴沟道；沟槽，其形成于所述主面，且在与所述SiC层的底部之间划分出下侧区域；以及第二导电型的柱区域，其在所述SiC层内形成于所述下侧区域，且沿着所述轴沟道延伸。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本申请主张了2022年12月28日提交给日本专利局的专利申请2022-212612号的优先权，将该申请的全部内容通过引用并入本申请。本公开涉及一种sic半导体装置。

技术介绍

1、专利文献1(us2015/0028351a1)公开了一种具有通过沟道注入法导入碳化硅层的杂质区域的电子器件。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：美国专利申请公开第2015/0028351号说明书

技术实现思路

1、本公开提供一种新型的sic半导体装置。

2、本公开提供一种sic半导体装置，包括：第一导电型的sic层，其包括主面，且在层叠方向具有轴沟道；沟槽，其形成于所述主面，且在与所述sic层的底部之间划分出下侧区域；以及第二导电型的柱区域，其在所述sic层内形成于所述下侧区域，且沿着所述轴沟道延伸。

3、通过参照附图的详细说明，上述或其他目的、特征以及效果变得清楚。

【技术保护点】

1.一种SiC半导体装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的SiC半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的SiC半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的SiC半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1至4中任一项所述的SiC半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的SiC半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的SiC半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的SiC半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求1至...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种sic半导体装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的sic半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的sic半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的sic半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1至4中任一项所述的sic半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的sic半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的sic半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的sic半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求1至8中任一项所述的sic半导体装置，其特征在于，

10.根据权利要求9所述的sic半导体装置，其特征在于，

11.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：森诚悟，中野佑纪，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：