雾化芯和电子雾化装置制造方法及图纸

技术编号:46057132 阅读:9 留言:0更新日期:2025-08-11 15:43
本申请提供了一种雾化芯和电子雾化装置。第二导液通孔的设置便于雾化基质在半导体发热层内的均匀分布,有利于提高加热的一致性。对半导体发热层进行镂空设计,在不缩小整个半导体发热层的边框尺寸的同时,减小发热面积,使得发热更集中以能达到较好的雾化温度,从而提升口感和气溶胶量。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及电子雾化领域,特别是涉及一种雾化芯和电子雾化装置


技术介绍

1、雾化芯通常包括发热元件和导液元件。

2、传统的片状发热元件,通常在雾化时,热量会扩散到覆盖整片发热元件,导致整片发热元件温度会基本趋于一致,难以达到很好的雾化温度,从而使得气溶胶量和口感都难以达到很好。


技术实现思路

1、本申请提供一种雾化芯和电子雾化装置,以解决如何改善雾化芯的雾化性能的问题。

2、为了解决上述技术问题,本申请提供的第一个技术方案为:提供一种雾化芯,其中,包括半导体基板、半导体发热层和电极:半导体基板具有相对的吸液面和雾化面;半导体基板具有从吸液面贯穿至雾化面的多个第一导液通孔,第一导液通孔用于传导雾化基质;半导体发热层设置于雾化面,具有多个第二导液通孔;第二导液通孔与第一导液通孔连通;半导体发热层具有多个镂空部;电极至少部分设置于雾化面,且与半导体发热层电连接。

3、其中,半导体基板具有多个开口,镂空部与开口一一对位设置并连通;在半导体基板的厚度方向上,镂空部与开口重叠设置。...

【技术保护点】

1.一种雾化芯,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的雾化芯,其特征在于,所述半导体基板具有多个开口,所述镂空部与所述开口一一对位设置并连通;在所述半导体基板的厚度方向上,所述镂空部与所述开口重叠设置。

3.根据权利要求2所述的雾化芯,其特征在于,

4.根据权利要求2所述的雾化芯,其特征在于,所述半导体发热层的电阻率小于所述半导体基板的电阻率;所述半导体发热层包括边框区和网状区,所述边框区环绕所述网状区设置,且与所述网状区连接;所述网状区包括多个条形加热部,所述条形加热部纵横交错限定多个所述镂空部,所述第二导液通孔至少开设于所述网状区,并贯穿所述...

【技术特征摘要】

1.一种雾化芯,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的雾化芯,其特征在于,所述半导体基板具有多个开口,所述镂空部与所述开口一一对位设置并连通;在所述半导体基板的厚度方向上,所述镂空部与所述开口重叠设置。

3.根据权利要求2所述的雾化芯,其特征在于,

4.根据权利要求2所述的雾化芯,其特征在于,所述半导体发热层的电阻率小于所述半导体基板的电阻率;所述半导体发热层包括边框区和网状区,所述边框区环绕所述网状区设置,且与所述网状区连接;所述网状区包括多个条形加热部,所述条形加热部纵横交错限定多个所述镂空部,所述第二导液通孔至少开设于所述网状区,并贯穿所述条形加热部。

5.根据权利要求3所述的雾化芯,其特征在于,所述半导体基板的雾化面上开设有沉槽;所述半导体发热层为掺杂的半导体基片,所述掺杂的半导体基片嵌设于所述沉槽内,且与所述沉槽的底壁接触设置;所述第二导液通孔贯穿所述掺杂的半导体基片;所述开口连通所述沉槽的底壁。

6.根据权利要求5所述的雾化芯,其特征在于,所述沉槽沿第一方向的两端为敞口;...

【专利技术属性】
技术研发人员:请求不公布姓名请求不公布姓名请求不公布姓名请求不公布姓名
申请(专利权)人:深圳市京粮隆庆网络科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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