【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种预测方法，尤其是涉及一种基于神经网络的功率器件动态栅极应力试验预测模型建立方法，尤其是涉及一种sicmosfet动态栅极应力老化试验预测模型建立方法，属于电子元器件设计领域。
技术介绍
1、随着电力电子技术向高效率、高功率密度方向发展，sic mosfet凭借其优异的材料特性在众多领域展现出广阔的应用前景。然而，sic mosfet的栅氧可靠性成为制约其长期稳定运行的关键因素之一。在实际工作状态下，sic mosfet会承受动态栅极应力，这种应力会随着时间逐渐导致栅氧性能退化，进而影响器件的电学参数和整体性能，最终可能引发器件失效，影响整个电力电子系统的可靠性和稳定性。
2、目前，针对sic mosfet动态栅极应力老化的研究主要依赖于传统的实验方法和基于物理模型的分析手段。传统的动态栅极应力偏置老化实验虽然能够直接获取器件在应力作用下的老化数据，但这类实验需要精确控制多种复杂的应力条件，如温度、方波频率、方波正电平大小和应力时间等，同时还需要高精度的测试设备来监测器件的电学参数变化，这就导致实验过程极为复...
【技术保护点】
1.一种功率器件动态栅极应力老化试验预测模型建立方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的功率器件动态栅极应力老化试验预测模型建立方法，其特征为：所述动态方波参数的频率范围为100KHz至500KHz，正电平范围为25V至35V，温度控制范围为100℃至200℃，应力时间范围为10小时至20小时。
3.根据权利要求1所述的功率器件动态栅极应力老化试验预测模型建立方法，其特征为：所述实验样本为多颗初始电学特性相似的SiC平面型MOSFET器件，筛选标准包括初始阈值电压范围±5％和漏电流测试值一致性.
4.根据权利要求1...
【技术特征摘要】
1.一种功率器件动态栅极应力老化试验预测模型建立方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的功率器件动态栅极应力老化试验预测模型建立方法，其特征为：所述动态方波参数的频率范围为100khz至500khz，正电平范围为25v至35v，温度控制范围为100℃至200℃，应力时间范围为10小时至20小时。
3.根据权利要求1所述的功率器件动态栅极应力老化试验预测模型建立方法，其特征为：所述实验样本为多颗初始电学特性相似的sic平面型mosfet器件，筛选标准包括初始阈值电压范围±5％和漏电流测试值一致性.
4.根据权利要求1所述的功率器件动态栅极应力老化试验预测模型建立方法，其特征为：所述数据归一化采用min-max标准化公式：其中，x为输入变量原始值，minxmin和maxxmax为实验数据最小值与最大值。
5.根据权利要求1所述的功率器件动态栅极应力老化试验预测模型建立方法，其特征为：所述验证集用于调整超参数时，采...
【专利技术属性】
技术研发人员：高博，刘文平，周浩，张志新，费晨曦，
申请(专利权)人：浙江摩珂达半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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